仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 8.5A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 650 V●シリーズ : MDmesh M5●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 430 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : +25 V●トランジスタ素材 : Simm●高さ : 16.4mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応