仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 200 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 400 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 75 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
