- 仕様
- ●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 20 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 80 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.2V●最大パワー消費 ： 1.25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -12 V， +12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 0.94mm●NチャンネルパワーMOSFET●20 V●ON Semiconductor
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
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