- 仕様
- ●チャンネルタイプ ： N， P●最大連続ドレイン電流 ： 1.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 8 V●パッケージタイプ ： SOT-363●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 320 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 400 mW●トランジスタ構成 ： N+P負荷スイッチ●最大ゲート-ソース間電圧 ： +8 V●幅 ： 1.35mm●高さ ： 1mm●ON Semiconductor デュアルN/PチャネルMOSFET. NTJD1155Lは●デュアルチャネルのMOSFETです。PチャンネルとNチャンネルを1つのパッケージに統合し●低制御信号●低バッテリ電圧●高負荷電流に優れています。NチャンネルはESD保護機能を内蔵しており●1.5Vの低電圧で駆動することができます。Pチャンネルは負荷切替用途で使用するように設計されています。また●PチャンネルはON Semiのトレンチテクノロジーを採用して設計されています。
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
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