- 仕様
- ●チャンネルタイプ ： N， P●最大連続ドレイン電流 ： 250 mA， 880 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 20 V●30 V●パッケージタイプ ： SOT-363●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2.5 Ω， 500 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.5V●最大パワー消費 ： 270 mW●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V●-12 V●+12 V●+20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 0.9 nC @ 5 V●2.2 nC @ 4.5 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor デュアルN/PチャネルMOSFET. NTJD1155Lは●デュアルチャネルのMOSFETです。PチャンネルとNチャンネルを1つのパッケージに統合し●低制御信号●低バッテリ電圧●高負荷電流に優れています。NチャンネルはESD保護機能を内蔵しており●1.5Vの低電圧で駆動することができます。Pチャンネルは負荷切替用途で使用するように設計されています。また●PチャンネルはON Semiのトレンチテクノロジーを採用して設計されています。
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
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