仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.375●標準ゲートチャージ @ Vgs：16 nC @ 5 V高さ(mm)2.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)280最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
