onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.375●標準ゲートチャージ @ Vgs：16 nC @ 5 V
- 高さ(mm)
- 2.3
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー
- パッケージ
- DPAK (TO-252)
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(mW)
- 2500
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 200
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 280
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20 ， +20
- トランジスタ構成
- シングル
- 内容量
- 1箱(5個)
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