- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：80 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：95 nC @ 10 V
- シリーズ
- PowerTrench
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
- パッケージ
- D2PAK (TO-263)
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(W)
- 310
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 7
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20 ， +20
- トランジスタ構成
- シングル
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