仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：28 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：39 nC @ 10 V
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)250W
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)129
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
