仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.25●標準ゲートチャージ @ Vgs：7.7 nC @ 5 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)29最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型最小動作温度(℃)-55
