仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：4.7 A高さ(mm)1.575ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.6、2チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型
