onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 4.7 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：4.7 A
- 高さ(mm)
- 1.575
- ピン数(ピン)
- 8
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
- パッケージ
- SOIC
- 実装タイプ
- 表面実装
- 1チップ当たりのエレメント数
- 2
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(W)
- 1.6、2
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 80
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 82
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20 ， +20
- トランジスタ構成
- 絶縁型
- 内容量
- 1箱(5個)
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