- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.2916666667
- 長さ(mm)
- 6.73
- 高さ(mm)
- 2.39
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します
- パッケージ
- DPAK (TO-252)
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(W)
- 83
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 600
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 600
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -30 ， +30
- トランジスタ構成
- シングル
