onsemi Nチャンネル MOSFET600 V 7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.2916666667長さ(mm)6.73高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)83チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル内容量1箱(5個)
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