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スティッククリーナー(SBD-型、その他)の使い捨てダストパック(25枚入り)です。Ag+(銀イオン)加工により、排気時のニオイを抑えます。IC-SLDCP12、IC-SLDCP5、KIC-SLDCP5、IC-SLDCP6、KIC-SLDCP6、IC-SLDCP6M、IC-SLDC7、KIC-SLDC7、IC-SLDC8、IC-SLDC4、KIC-SLDC4、 SBD-200P、SBD-T1P、IC-SLDCP6、SBD-F2P、IC-SLDCP12、SBD-E4P、SBD-74、SBD-75、SBD-76、SBD-77、SBD-202P-HC、SBD-202P-H、SBD-201P-HC、SBD-201P-H、HBD-41-W

NANDゲート4回路入りの標準ロジックICです。推奨動作電圧3～18Vと高電圧で使用可能です。 同じくNANDゲートIC、74HC00とはピン配置が異なります。

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 158ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 2 V， 21 ns @ 6 V， 25 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー入力タイプ = CMOS出力タイプ = CMOS1チップ当たりのエレメント数 = 6最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 188 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 4mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 74HC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mmMM74HC14 は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用することで、標準 CMOS の低電力損失と高ノイズ耐性を実現するだけでなく、 10 LS-TTL 負荷を駆動できます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 20 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.9 V @ VCC = 4.5 V 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 121 ns @ 2 V， 20 ns @ 6 V， 24 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 113ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm幅 = 4mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS