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「v262n」の検索結果

ゴム底安全靴 中編上 V262N
ミドリ安全¥9,998税込¥10,9981足当日出荷から翌々日出荷従来品から甲革・中敷などを改良し、履き心地が向上しました。靴底は油や薬品に強い合成ゴム底のためハードな職場に最適です。靴底を成形する際にゴム底とアッパーを同時に圧着するため耐久性に優れています。足先の圧迫や衝撃から足先を守るベーシックな鋼製先芯を使用しています。用途運輸業、倉庫業、建設業など色ブラック足幅EEE形状ミドルカット種類安全靴JIS規格JIS T8101 C1/S/BO耐圧迫性荷重(kN)10±0.1甲被タイプ紐タイプ靴タイプ革靴
甲プロ付きゴム底中編上安全靴 V262N甲プロ
ミドリ安全¥10,980~税込¥12,078~1足3日以内出荷から9日以内出荷甲プロテクタが重量物などを扱う人の足甲を落下物から保護します。靴底は油や薬品に強い合成ゴム底のためハードな職場に最適です。靴底を成形する際にゴム底とアッパーを同時に圧着するため耐久性に優れています。足先の圧迫や衝撃から足先を守るベーシックな鋼製先芯を使用しています。色ブラック材質(先芯)鋼足幅3E材質(甲板)牛クロム革、アルミ形状ミドルカット質量(kg)1種類安全靴材質(ソール)合成ゴム1層材質(甲被)牛クロム革(ソフト型押)JIS規格JIS_T_8101_革製S種<普通作業用>M合格耐圧迫性荷重(kN)10±0.1材質(インソール)EVA半敷甲被タイプ紐タイプ靴タイプ革靴
外鋼板型ゴム底中編上安全靴 V262N外鋼板
ミドリ安全¥11,980税込¥13,1781足3日以内出荷から5日以内出荷破れや剥離などで傷つきやすいつま先革をカバーするために、鋼製先芯を内部から外部に出した安全靴です。靴底は油や薬品に強い合成ゴム底のためハードな職場に最適です。靴底を成形する際にゴム底とアッパーを同時に圧着するため耐久性に優れています。色ブラック材質(先芯)鋼足幅3E規格JIS_T_8101_革製S種〈普通作業用〉合格形状ミドルカット質量(kg)1種類安全靴材質(ソール)合成ゴム1層材質(甲被)牛クロム革(ソフト型押)JIS規格JIS T8101 CⅠ/S/BO/H耐圧迫性荷重(kN)10±0.1材質(インソール)EVA半敷甲被タイプ紐タイプ靴タイプ革靴
耐油・耐薬品仕様 ゴム底安全靴 V262NT
ミドリ安全¥12,980~税込¥14,278~1足3日以内出荷から5日以内出荷油や薬品に強いアッパーと靴底のためハードな職場に最適な安全靴です。靴底を成形する際アッパーを同時に圧着するため耐久性に優れています。 圧迫や衝撃から足先を守るベーシックな鋼製先芯を使用しています。用途建設業。製造業。色ブラック材質先芯:鋼製、甲被:牛クロム革(ウレタン加工)、中敷:半敷、靴底:合成ゴム1層底形状ミドルカット質量(kg)1種類安全靴規格JIS T 8101 革製S種<普通作業用>合格標準質量(g/片足)1040JIS規格JIS T8101 C1/S/BO甲被タイプ紐タイプ靴タイプ革靴
絶縁ゴム底 樹脂先芯入り中編上作業靴 V262JN耐滑絶縁
ミドリ安全¥9,698税込¥10,6681足3日以内出荷から5日以内出荷工場内の機械保全や電気工事関係などの業務のために開発しました。 万が一AC300V以下の低電圧電気回路に触れても、感電を軽減できるよう109Ω以上のゴム底の電気抵抗を確保します。 樹脂先しん搭載でつま先の安全性能はJIS S種の規格を満たしています。用途工場内の機械保全や電気工事関係などの業務で、電気回路に触れて感電などを引き起こすおそれのある作業および場所での使用に足幅EEE材質甲被:牛クロム革(ソフト型押)、先芯:樹脂、靴底:ゴム1層形状ミドルカット質量(kg)1種類安全靴電圧(V)直流750以下、交流300以下試験電圧(V/1分)AC50Hz3K耐圧迫性荷重(kN)10±0.1甲被タイプ紐タイプ靴タイプ革靴
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 195 A スルーホール パッケージTO-262 3 ピン
INFINEON¥1,898税込¥2,0881袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 2RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージI2PAK (TO-262) 3 ピン
INFINEON¥13,980税込¥15,3781セット(50個)7日以内出荷NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.83mm高さ = 9.65mmRoHS指令(10物質対応)対応











