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制御機器/はんだ・静電気対策用品 (230) ブランド: INFINEON価格: 1,500円以下すべて解除
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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様 チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃ RoHS指令(10物質対応) 対応
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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様 チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 280000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 20.7mm RoHS指令(10物質対応) 対応
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様 チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 170 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 270 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1 RoHS指令(10物質対応) 対応
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NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様 チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応) 対応
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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様 チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mm RoHS指令(10物質対応) 対応
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AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。
PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。
この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。
ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。
低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。
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仕様 ●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●メモリサイズ: 4Mbit●構成: 256K x 16●ワード数: 256k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●USBインターフェースIC・USBコントローラ RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●最大供給電流: 32 mA●最大入力周波数: 133MHz●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8 RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128 K x 16 ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: VFBGA●ピン数: 48●寸法: 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max: 3.6 Vmm●幅: 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●メモリサイズ: 4Mbit●構成: 512K x 8●ワード数: 512k●1ワード当たりのビット数: 8bit RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 550ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 3.65 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128K x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●最大供給電流: 32 mA●最大入力周波数: 133MHz●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8 RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●動作温度 Min: -40 ℃bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 14●寸法: 8.73×3.98×1.48mm●長さ: 8.73mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 8Kbit●F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 K x 16●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応) 対応
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仕様 ●USBインターフェースIC・USBコントローラ RoHS指令(10物質対応) 対応