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Infineon NチャンネルパワーMOSFET
INFINEON
￥599～税込￥659～
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
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Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
INFINEON
￥1,598税込￥1,758
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 34 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 100 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 313 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ETRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 195 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥13,980税込￥15,378
1セット(50個)
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 3.9 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
INFINEON
￥229,800税込￥252,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
Infineon の 800 V Cool MOS CE MOSFET は、安全性と性能及び耐久性を兼ね備えた高電圧容量で、最高の効率レベルで安定した設計が可能です。RoHS に準拠しています
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ CoolMOS(TM) CE実装タイプ表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 Ω最大ゲートしきい値電圧 3.9V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET600 V 20.7 A スルーホールパッケージTO-220 FP 3 ピン
INFINEON
￥19,980税込￥21,978
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 34.5 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 30 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃mm
Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 20.7 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
INFINEON
￥14,980税込￥16,478
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 208 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 5.3mm高さ 20.95mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ETRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 120 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥5,698税込￥6,268
1セット(50個)
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 99 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 16.51mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 522 A 表面実装パッケージD2PAK-7 7 ピン
INFINEON
￥269,800税込￥296,780
1セット(800個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 522 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = D2PAK-7実装タイプ = 表面実装ピン数 = 7最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 μΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm順方向ダイオード電圧 = 1.2V
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 180 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
INFINEON
￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 140 W最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.39mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 195 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピン
INFINEON
￥609税込￥670
1個
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 366 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 47 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
INFINEON
￥2,198税込￥2,418
1個
7日以内出荷
Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 47 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 415 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 252 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 4 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
INFINEON
￥619税込￥681
1袋(2個)
7日以内出荷
Infineon CoolMOSC3パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 63 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 23 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応