Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 180 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
- 仕様
- チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 180 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.4 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V
最大パワー消費 = 140 W
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 2.39mm
動作温度 Min = -55 ℃
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 内容量
- 1袋(5個)
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