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Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 43.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET700 V 43.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON
999税込1,099
1個
5日以内出荷
Infineon CoolMOS CFDパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 43.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) CFD実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 80 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 391 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 0.9VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 63.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET700 V 63.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON
999税込1,099
1個
7日以内出荷
Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 V Cool MOS C7 シリーズは、 SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 V C7 は、 RDS ( on ) * A が 1 オーム * mm 2 未満の初めてのテクノロジーです。鉛フリーリードめっき RoHS対応 優れた熱抵抗:アバランシェ 100 % テスト済み IEC61249-2-23 準拠のハロゲンフリーです
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 63.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.048 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 31.2 A 表面実装 パッケージTO-263 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET650 V 31.2 A 表面実装 パッケージTO-263 3 ピンINFINEON
459,800税込505,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 Cool MOS C7 シリーズは、SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 C7 は、RDS on * が オーム mm 未満の初めてのテクノロジーです。超高速ボディダイオード
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 31.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.11 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
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