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高速スイッチングエミッタ制御ダイオード、Infineon. Infineon 切り替えエミッタ制御ダイオードは、Rapid 1及びRapid 2ファミリの600 V / 1200 V超ソフトダイオードです。 これらのダイオードは、通信、UPS、溶接、AC-DCの多様な用途で動作し、超ソフトバージョンは最高で30 kHzのモータ駆動用途で動作します。. ；i>； Rapid 1 ；/i>；ダイオードは、18 kHzと40 kHzの間で切り替わります。 温度安定性のある順方向電圧: 1.35 V 力率補正(PFC)トポロジに最適 ；i>；Rapid 2ダイオード ；/i>； は、40 kHzと100 kHzの間で切り替わります。 低い逆回復電荷量: BiC性能向けの順方向電圧 短い逆回復時間 ブーストスイッチのターンオン損失が低い ；i>； 超高速ダイオード ；/i>； 600 V / 1200 Vエミッタ制御技術 JEDEC規格に適合 優れたEMI対策 低い導電損失 並列接続が簡単

高速スイッチングエミッタ制御ダイオード、Infineon. Infineon 切り替えエミッタ制御ダイオードは、Rapid 1及びRapid 2ファミリの600 V / 1200 V超ソフトダイオードです。 これらのダイオードは、通信、UPS、溶接、AC-DCの多様な用途で動作し、超ソフトバージョンは最高で30 kHzのモータ駆動用途で動作します。. ；i>； Rapid 1 ；/i>；ダイオードは、18 kHzと40 kHzの間で切り替わります。 温度安定性のある順方向電圧: 1.35 V 力率補正(PFC)トポロジに最適 ；i>；Rapid 2ダイオード ；/i>； は、40 kHzと100 kHzの間で切り替わります。 低い逆回復電荷量: BiC性能向けの順方向電圧 短い逆回復時間 ブーストスイッチのターンオン損失が低い ；i>； 超高速ダイオード ；/i>； 600 V / 1200 Vエミッタ制御技術 JEDEC規格に適合 優れたEMI対策 低い導電損失 並列接続が簡単

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力

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4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 512 x 8 として構成されています。高耐久性： 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み 151 年間のデータ保持 NODELAY 書き込み Advanced の高信頼性強誘電体プロセス 超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI ) 周波数：最大 20 MHz シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です。SPI モード 0 ( 0 、0 )及びモード 3 ( 1 、1 )をサポート 洗練された書き込み保護スキーム 書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護 書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護 1/4 、1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護 低消費電力 200 mA アクティブ電流 @ 1 MHz スタンバイ電流： 3 mA (標準 低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V 産業温度： -40 ℃ → +85 ℃ パッケージ 8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ 8 ピン薄型デュアルフラットノーリード( DFN )パッケージです

F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力

AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。 PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。 この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。 ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。 低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。

Infineon のオフライン SMPS 電流モードコントローラ IC は、 650 CoolMOS を内蔵し、 DIP-7 パッケージのスタートアップセルを備えています。より堅牢な設計で、 -40 C まで使用できます優れた性能には、 BiCMOS 技術、アクティブバーストモード、内蔵周波数ジッタ、ソフトゲート駆動、伝播遅延補償などがあります。 ソフトスタート時間、内蔵ブランキング時間、過負荷保護のための延長可能なブランキング時間、外部自動リスタートイネーブル機能などを内蔵しています最低スタンバイ電力要件 <： 50 mW 40 C までの低い動作温度 過負荷、過熱、過電圧に対する自動リスタート保護 広い VCC ソフトドライブで EMI が低く抑えられています

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力