Infineon FRAMメモリ, 1Mbit, SOIC, SPI, FM25V10-G
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
- 仕様
- メモリサイズ = 1Mbit
構成 = 128 k x 8ビット
インターフェースタイプ = SPI
データバス幅 = 8bit
最大ランダムアクセス時間 = 18ns
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = SOIC
ピン数 = 8
寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm
長さ = 4.97mm
幅 = 3.98mm
高さ = 1.48mm
動作温度 Max = +85 ℃
ワード数 = 128kbit
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 内容量
- 1セット(97個)
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