仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 550ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 3.65 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
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仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 2Kbit
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bit
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bit
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