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Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 240 A 表面実装パッケージD2PAK-7 7 ピン
INFINEON
￥1,298税込￥1,428
1袋(2個)
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 240 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 7最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 195 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥949税込￥1,044
1袋(2個)
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 16.51mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 110 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.1 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 195 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥15,980税込￥17,578
1セット(50個)
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 120 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥4,598税込￥5,058
1セット(50個)
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 99 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 16.51mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 195 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピン
INFINEON
￥389税込￥428
1個
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 366 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 195 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
INFINEON
￥7,798税込￥8,578
1セット(25個)
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 341 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 274 nC @ 10 Vmm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET110 V 16 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
INFINEON
￥279,800税込￥307,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
International Rectifier の Infineon 設計の HEXFET R パワー MOSFET は、Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。先進のプロセス技術動的dv/dt定格高速スイッチング完全アバランシェ定格
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 110 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon NチャンネルパワーMOSFET
INFINEON
￥849～税込￥934～
1袋(2個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
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Infineon電流モード PWMコントローラ
INFINEON
￥799～税込￥879～
1袋(2個)ほか
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AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。 PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。 ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。
出力数PWM：1コントロール電流ピン数(ピン)8
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MOSFET Photo Relay SPNO
INFINEON(1件のレビュー)
￥1,998税込￥2,198
1袋(2個)
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