カテゴリ
- 制御機器(549)
絞り込み
ブランド
- INFINEON
- TGK(東京硝子器械)(479)
- RS PRO(354)
- SIEMENS(311)
- パール金属(105)
- SPARKFUN(80)
- フジキン(78)
- エレコム(63)
- ファイン[食品・飲料](50)
- ロゴヴィスタ(50)
- ファインケミカルジャパン(49)
- SMC(48)
- 3M(スリーエム)(43)
- フエニックス・コンタクト(39)
- TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(29)
- 住友電工ファインポリマー(28)
- リスパック(27)
- VISHAY(25)
- コミネ(21)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(509)
「fine」の検索結果
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥1,798税込￥1,9781袋(2個)欠品中モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥3,998税込￥4,3981袋(20個)当日出荷NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 開発 ボード CY8CKIT-059
INFINEON￥3,998税込￥4,3981個当日出荷「スナップアウェイ」プログラマ/デバッガ CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイピングキット. CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイプ開発キットは、使いやすくコスト効率の高いプロトタイププラットフォームとして設計されています。このキットは、比類のない高精度アナログと柔軟性のあるカスタムシステムソリューションを設計することができます。この開発キットはまた、信号取得、信号処理、高精度、高帯域幅で柔軟性の高い制御の現代的な手法を提供します。 設計者は、PSoC 5LPとPSoC Creatorコンポーネントを組み合わせ、設計スケジュールを短縮し、市場投入期間を短縮できます。このキットには、PSoC 5LPデバイスをエンドシステムに簡単に開発・統合するためのプラットフォームとなるのと同時に、デバイスサンプルの代わりとなる低コストの代替品になります。. オンボードの内容. - PSoC 5LP デバイス - PSoC 5LPヘッダポートJ1 / J2 - Micro-USB コネクタ、 J6 - PSoC 5LP プログラム / デバッグ JTAG ヘッダ、 J5 - KitProg ( PSoC 5LP )デバイス - KitProgポート、J8 / J9 (GPIO) - SWD接続、J3 / J7 - PCB USB コネクタ - アンバーLED x 1 (電源) - 緑LED x 1 (ステータス) - 青LED x 1 (ユーザー) - ユーザープッシュボタンとリセットボタン - 外部リファレンスコンデンサ( ADC バイパス) - CapSense コンデンサ (CMOD) - プログラミングコネクタ、 J3 - 穴開き簡単に取り付けられるボードデザイン 特長 - 最高速USB 2.0接続でプロトタイプを作成するためのMicro-USBヘッダ - 32ビットARM Cortex M3 CPUコア - 0.5 V 、シングルセルバッテリ駆動からのブーストスタートアップ - 300 nA低リークハイバネーション低電力モード - 汎用I/Oシステム - デジタルペリフェラル - プログラミング/デバッグ/トレース - 精密でプログラム可能なクロック周波数 - PSoC Creator対応 アプリケーション 組込み設計と開発仕様分類 = 開発 ボードテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex-M3プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 = CY8C5888LTI-LP097プロセッサ種類 = MCURoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥779税込￥8571袋(2個)翌々日出荷NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥519税込￥5711袋(2個)翌々日出荷NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon電流モード PWMコントローラ
INFINEON￥929～税込￥1,022～1袋(2個)ほか翌々日出荷から7日以内出荷AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。 PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。 この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。 ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。 低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。出力数PWM：1コントロール電流ピン数(ピン)8
Infineon デバッガ デバッガ， プログラマ， CY8CKIT-002
INFINEON￥25,980税込￥28,5781個翌々日出荷Microsoft Windows XP/Windows Vista/Windows 7のPCが必要です。PSoCR MiniProg3プログラム/デバッグキット. Cypress SemiconductorのCY8CKIT-002 PSoCR MiniProg3プログラム/デバッグキットは低コストの拡張キットです。Cypressの8ビット / 32ビットPSoCデバイス用に独自のシステムを開発する開発者を対象としています。このキットは、PSoC 1、PSoC 3、PSoC 4、PSoC 5LPアーキテクチャ用のプログラマと、PSoC 3、PSoC 4、PSoC 5LPアーキテクチャ用のデバッグツールです。MiniProg3は、JTAG、SWD、ISSP、I2Cなど、さまざまなプログラミングとデバッグインターフェースに柔軟に対応します。プログラミングの際、MiniProg3は、1.5V → 5.5VのI/O電圧レベルを使用してターゲットデバイスとの通信を可能にします。さらにMiniProg3は、シンプルなターゲットボードに1.8 V/2.5 V/3.3 V/5 Vの4種類の電圧レベルで電力を供給できます。キットの内容 - MiniProg3 プログラマ / デバッガ -10 ピンリボンケーブル - USB A-MiniB ケーブル - クイックスタートガイド 用途 - 組込み設計/開発仕様プロダクトタイプ = デバッガ， プログラマRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
INFINEON￥1,798税込￥1,9781袋(10個)翌々日出荷NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
INFINEON￥3,598税込￥3,9581袋(5個)翌々日出荷PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 38 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥1,498税込￥1,6481袋(5個)翌々日出荷モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 2 GHz RFアンプ IC， 4.5 V， 4-Pin SOT-343
INFINEON￥1,698税込￥1,8681袋(10個)翌々日出荷RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。仕様アンプタイプ = ブロードバンドMMIC標準パワーゲイン = 19 dB標準出力パワー = 18dBm標準ノイズ = 2.6dB回路数 = 1最大動作周波数 = 2 GHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-343ピン数 = 4寸法 = 2 x 1.25 x 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 2mm動作温度 Min = -65 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
INFINEON￥3,798税込￥4,1781袋(5個)翌々日出荷Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 340 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 15.95mmRoHS指令(10物質対応)対応
...
