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Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC， SPI， FM25040B-G
INFINEON
￥1,598税込￥1,758
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 512bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 1Mbit， SOIC， SPI， FM25V10-G
INFINEON
￥199,800税込￥219,780
1セット(97個)
7日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 18ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 128kbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 1Mbit， SOIC， I2C， FM24V10-G
INFINEON
￥239,800税込￥263,780
1セット(97個)
7日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 450ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 VbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 1Mbit， SOIC， SPI， FM25V10-G
INFINEON
￥199,800税込￥219,780
1セット(97個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 1Mbit●構成： 128 k x 8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 18ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●動作供給電圧 Min： 2 Vbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC， SPI， FM25040B-G
INFINEON
￥1,798税込￥1,978
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7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 4kbit●構成： 512×8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 20ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●自動車規格： AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， DFN， SPI， FM25CL64B-DG
INFINEON
￥929税込￥1,022
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7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 20ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： DFN●ピン数： 8●寸法： 4×4.5×0.7mm●長さ： 4.5mm●幅： 4mm●高さ： 0.7mm●動作温度 Max： +85 ℃●動作温度 Min： -40 ℃bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， SPI， FM25CL64B-G
INFINEON
￥1,098税込￥1,208
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仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 20ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●動作供給電圧 Max： 3.65 Vmm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 8Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， I2C， FM24C64B-G
INFINEON
￥41,980税込￥46,178
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仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 550ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●動作供給電圧 Max： 5.5 Vmm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 8kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， SPI， FM25640B-G
INFINEON
￥52,980税込￥58,278
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， SPI， FM25CL64B-G
INFINEON
￥1,098税込￥1,208
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， I2C， FM24C64B-G
INFINEON
￥41,980税込￥46,178
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8kbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 512kbit， SOIC， I2C， FM24V05-G
INFINEON
￥149,800税込￥164,780
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仕様●メモリサイズ： 512kbit●構成： 64 K x 8ビット●インターフェースタイプ： I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 450ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 64kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 512kbit， SOIC， I2C， FM24V05-G
INFINEON
￥139,800税込￥153,780
1セット(97個)
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 64 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 450ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 64kbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， DFN， SPI， FM25CL64B-DG
INFINEON
￥919税込￥1,011
1袋(2個)
7日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm幅 = 4mm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC，シリアル-I2C， FM24CL04B-G
INFINEON
￥25,980税込￥28,578
1セット(97個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC，シリアル-I2C， FM24CL04B-G
INFINEON
￥25,980税込￥28,578
1セット(97個)
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仕様●メモリサイズ： 4kbit●構成： 512×8●インターフェースタイプ：シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC，シリアル-I2C， FM24C16B-G
INFINEON
￥25,980税込￥28,578
1セット(97個)
欠品中
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2K x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC，シリアル-I2C， FM24CL64B-DG
INFINEON
￥39,980税込￥43,978
1セット(81個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8K x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC，シリアル-SPI， FM25C160B-G
INFINEON
￥25,980税込￥28,578
1セット(97個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2K x 8●インターフェースタイプ：シリアル-SPI●データバス幅： 8bit●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC，シリアル-SPI， FM25L04B-GTR
INFINEON
￥539,800税込￥593,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 512 x 8 として構成されています。高耐久性： 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み 151 年間のデータ保持 NODELAY 書き込み Advanced の高信頼性強誘電体プロセス超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI ) 周波数：最大 20 MHz シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です。SPI モード 0 ( 0 、0 )及びモード 3 ( 1 、1 )をサポート洗練された書き込み保護スキーム書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護 1/4 、1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護低消費電力 200 mA アクティブ電流 @ 1 MHz スタンバイ電流： 3 mA (標準低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V 産業温度： -40 ℃ → +85 ℃ パッケージ 8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ 8 ピン薄型デュアルフラットノーリード( DFN )パッケージです
仕様メモリサイズ = 4kbit、構成 = 512 M x 8ビット、インターフェースタイプ = シリアル-SPI、データバス幅 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 20ns、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOIC、ピン数 = 8、寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.47mm、長さ = 4.97mm、動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm、高さ = 1.47mm、動作温度 Max = +85 ℃、自動車規格 = AEC-Q100bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC，シリアル-I2C， FM24CL64B-DG
INFINEON
￥45,980税込￥50,578
1セット(81個)
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仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8K x 8●インターフェースタイプ：シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC，シリアル-SPI， FM25C160B-G
INFINEON
￥25,980税込￥28,578
1セット(97個)
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仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2K x 8インターフェースタイプ = シリアル-SPIデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC，シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C， FM3164-G
INFINEON
￥1,598税込￥1,758
1個
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F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリリアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセットウォッチドッグタイマ早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号バッテリ駆動に切り替えイベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm長さ = 8.73mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8KbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC，シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C， FM3164-G
INFINEON
￥1,598税込￥1,758
1個
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仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ：シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 14●寸法： 8.73×3.98×1.48mm●長さ： 8.73mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 8Kbit●F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリリアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセットウォッチドッグタイマ早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号バッテリ駆動に切り替えイベントカウンタトラッキング I2CインターフェイスRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC，シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C， FM24CL64B-G
INFINEON
￥969税込￥1,066
1袋(2個)
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， DFN，シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C， FM24CL16B-DG
INFINEON
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC，シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C， FM24CL16B-G
INFINEON
￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
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仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ：シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， DFN，シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C， FM24CL16B-DG
INFINEON
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
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仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ：シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： DFN●ピン数： 8●寸法： 4×4.5×0.7mm●長さ： 4.5mm●幅： 4mm●高さ： 0.7mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC，シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C， FM24CL64B-G
INFINEON
￥959税込￥1,055
1袋(2個)
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仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ：シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 550ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●動作供給電圧 Max： 3.65 Vmm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●自動車規格： AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon バイポーラトランジスタ， NPN，表面実装， 35 mA， BFR182E6327HTSA1
INFINEON
￥699税込￥769
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 35 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ，高周波， NPN，表面実装， 80 mA， BFR380FH6327XTSA1
INFINEON
￥659税込￥725
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 Vパッケージタイプ = TSFP-3-1実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ，高周波， NPN，表面実装， 80 mA， BFR193WH6327XTSA1
INFINEON
￥66,980税込￥73,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応

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