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RoHS10物質対応(16)
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Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 160 A 表面実装 パッケージPG-TO263-7-3INFINEON￥849税込￥934
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 160 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = PG-TO263-7-3実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 265 A 表面実装 パッケージPQFNINFINEON￥859税込￥945
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = PQFN実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 9.3 A 表面実装 パッケージPQFNINFINEON￥969税込￥1,066
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = PQFN実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 137 A 表面実装 パッケージPG - TO 252-3INFINEON￥539税込￥593
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 137 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = PG - TO 252-3実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 5 A 表面実装 パッケージPG-TSDSON-8-2INFINEON￥899税込￥989
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = PG-TSDSON-8-2実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFETトランジスタ 155 A パッケージPG-HSOF-8INFINEON￥759税込￥835
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 155 Aパッケージタイプ = PG-HSOF-8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 159 A スルーホール パッケージPQFN 5 mm x 6 mmINFINEON￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 159 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = PQFN 5 mm x 6 mm実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 122 A 表面実装 パッケージPG-TO220-3-1INFINEON￥309税込￥340
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 122 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PG-TO220-3-1実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 44 A 表面実装 パッケージPQFN 5 x 6 8 ピンINFINEON￥859税込￥945
1袋(5個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 44 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 156 W最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 0.85mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 11.3 A 表面実装 パッケージPG-TSDSON-8 8 ピンINFINEON￥3,198税込￥3,518
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = PG-TSDSON-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFET700 V 24 A SMD パッケージPG-TO 220INFINEON￥769税込￥846
1個
7日以内出荷
仕様最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 700 Vパッケージタイプ = PG-TO 220実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 21 A スルーホール パッケージPQFN 3.3 mm x 3.3 mmINFINEON￥1,698税込￥1,868
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PQFN 3.3 mm x 3.3 mm実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 136 A SMD パッケージPG-TDSONINFINEON￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 136 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = PG-TDSON実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 40 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピンINFINEON￥1,998税込￥2,198
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 0.015 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.1V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 100 A 表面実装 パッケージPG-TO263-3INFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = PG-TO263-3実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFET650 V 24.3 A SMD パッケージPG-TO220-3-1INFINEON￥21,980税込￥24,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様最大連続ドレイン電流 = 24.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 Vパッケージタイプ = PG-TO220-3-1実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
