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RoHS10物質対応(19)
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Infineon電流モード PWMコントローラ
INFINEON￥929～税込￥1,022～1袋(2個)ほか7日以内出荷AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。 PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。 この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。 ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。 低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。コントロール電流ピン数(ピン)8出力数PWM：1
MOSFET P-Ch
INFINEON￥42,980税込￥47,2781リール(1000個)7日以内出荷仕様Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET Driver
INFINEON￥2,798税込￥3,0781袋(10個)7日以内出荷仕様MOSFET / IGBTドライバ、ハイサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon ハイサイドNMOS
INFINEON￥2,598～税込￥2,858～1袋(20個)ほか7日以内出荷仕様電源スイッチの種類：ハイサイドNMOS 、 スイッチオン抵抗：5Ω 、 出力数：1 、 電圧：60V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-223 、 ピン数：3 + Tab 、 寸法：6.5 x 3.5 x 1.6mm 、 長さ：6.5mm 、 幅：3.5mm 、 高さ：1.6mm 、 動作温度 Max：+125 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 産業用ハイサイドスイッチ、Infineon. Infineonのシングル及びマルチチェック保護スマートハイサイドNMOSパワースイッチ製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET
INFINEON￥3,798税込￥4,1781袋(20個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：10.8 W●1チップ当たりのエレメント数：1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFETトランジスタ
INFINEON￥49,980税込￥54,9781リール(1000個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：1.8 W●シリーズ：SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
