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「mosfet」の検索結果

パワーMOSFET
東芝¥779税込¥8571個3日以内出荷用途DC/DCコンバータモーター駆動備考4V駆動電流(A)ID:60電圧(V)VDSS:60入力容量Ciss:5400pF(標準) (Vds=10V f=1MHz)電力(W)Pc(Tc=25℃):150構造Nch-MOS速度Yfs:40s抵抗(MΩ)RDS:15(Vgs=4V Id=30A)入数1個RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P(N)
Microchip Technology Nチャンネル ドライバ用 MOSFET
MICROCHIP¥1,998~税込¥2,198~1袋(25個)ほか当日出荷から7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP4
東芝¥1,598税込¥1,7581袋(2個)翌々日出荷仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm高さ = 3.65mm光リレー、MOSFET出力、東芝接点構成1aRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba (東芝) フォトカプラ, MOSFET出力
東芝¥2,998税込¥3,2981袋(5個)当日出荷シリーズTLP241Aチャンネル数1ピン数(ピン)4パッケージDIP電流の種類(入力)DC実装タイプスルーホール実装出力デバイスMOSFET最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)30絶縁電圧(Vrms)5000
Wolfspeed Nチャンネル パワーMOSFET
WOLFSPEED¥2,698~税込¥2,968~1個ほか翌々日出荷から7日以内出荷チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET
東芝¥1,498税込¥1,6481袋(5個)翌々日出荷仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.9チャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧(V)2カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 61.8 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ
東芝¥2,998税込¥3,2981個欠品中仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP4
東芝¥1,398税込¥1,5381袋(2個)翌々日出荷仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 16 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm特殊機能 = 高電流光リレー光リレー、MOSFET出力、東芝接点構成1aRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET Driver
INFINEON¥2,798税込¥3,0781袋(10個)7日以内出荷仕様MOSFET / IGBTドライバ、ハイサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。RoHS指令(10物質対応)対応
Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP6
東芝¥1,498税込¥1,6481袋(2個)翌々日出荷仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 7.12 x 6.4 x 3.65mm極数 = 1光リレー、MOSFET出力、東芝接点構成1aRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-Ch
INFINEON¥42,980税込¥47,2781リール(1000個)7日以内出荷仕様Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
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