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Arduinoをはじめよう「Arduino UNOセット」 共立プロダクツArduinoをはじめよう「Arduino UNOセット」共立プロダクツ(1件のレビュー)
10,980税込12,078
1台
当日出荷
書籍掲載の実験をほぼ網羅する書籍+マイコンボード+部品セットの第2弾!書籍「Arduinoをはじめよう 第3版」で紹介されている学習/実験ができる書籍+Arduino UNO+部品のセットです。書籍以外を収納できるケースも付いているので携帯に便利です。「これからArduinoを始めたい」という方におすすめです。
セット内容ArduinoUnoRev3×1、USBA-B1m×1、書籍:Arduinoをはじめよう第3版×1、LEDΦ5mm赤/OSR5PA5201A-VW(GL5HD44の代わり)×1、ブレッドボードKH-102×1、ジャンプワイヤーキットBBJ-65×1、カーボン抵抗1/4W5%10kΩ×5、超小型タクトスイッチ(0.7mmタイプ)PT6601×1、カーボン抵抗1/4W5%220Ω×5、CdSセル/光センサー(Φ10mm)/SEN-5003×1、LEDΦ5mmマルチカラー/RT5-5818RGBW-B×1、LEDΦ5mm赤/L-513ET×1、LEDΦ5mm緑/L-513GT×1、LEDΦ5mm青/AL-513B7T-002×1、I2Cバス接続リアルタイムクロックモジュール/Rtc612_1307_13SP×1、基板用リレー2回路2接点/G5V-2DC5V×1、Nch-MOSFET/2N7000×1、スイッチングダイオード/1N4148×2、温湿度センサ/DHT11×1
パワー制御スリム型 フォトモスリレー AQZシリーズ Panasonic(パナソニック)パワー制御スリム型 フォトモスリレー AQZシリーズPanasonic(パナソニック)
1,098税込1,208
1個
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ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92ON SEMICONDUCTOR
959税込1,055
1袋(20個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
強化絶縁型 フォトモスリレー AQYシリーズ Panasonic(パナソニック)強化絶縁型 フォトモスリレー AQYシリーズPanasonic(パナソニック)(1件のレビュー)
389税込428
1個
当日出荷から7日以内出荷
Renesas Electronics オペアンプ, 5 ~28 V, 8-Pin PDIP RENESASRenesas Electronics オペアンプ, 5 ~28 V, 8-Pin PDIPRENESAS
3,098税込3,408
1袋(5個)
当日出荷
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIP電源タイプ = デュアル, シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 5 → 28 V標準ゲインバンド幅積 = 3.7MHz標準デュアル供給電圧 = ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V標準スルーレート = 7V/μs動作温度 Max = +125 ℃レール to レール = NoCA3140、4.5 MHz、BiMOSオペアンプ、MOSFET入力 / バイポーラ出力、Intersil. MOSFET入力段が低入力電流、高入力インピーダンスを実現 広いコモンノード入力電圧範囲RoHS指令(10物質対応)対応
パナソニック,  ソリッドステートリレー 最大負荷電流:1.5 A 最大負荷電圧:60 V 表面実装, AQW612EHA Panasonic(パナソニック)パナソニック, ソリッドステートリレー 最大負荷電流:1.5 A 最大負荷電圧:60 V 表面実装, AQW612EHAPanasonic(パナソニック)
539税込593特価
1個
当日出荷から7日以内出荷
仕様Panasonic DIP8 ピンは絶縁性が強化されています。NO と NC の両方が組み込まれています。強化絶縁: 5 、 000 V 約 1 フォーム A 及び 1 フォーム B フォト MOS のセットの実装面積と比べて 1/2 のスペース 1 フォーム A 及び 1 フォーム B 用途に適合します さらに、 2 つの独立した 1 フォーム A と 1 フォーム B で使用します 低レベルアナログ信号を制御 高感度及び高速応答 低レベルオフ状態漏洩電流取付方式表面実装シリーズPhotoMOS接点構成2 x SPNO範囲AWQ最大負荷電流(A)1.5スイッチング方式AC/DC出力装置MOSFET最大負荷電圧(V)60最小負荷電圧(V)48
IXYS Nチャンネル パワーMOSFET IXYSIXYS Nチャンネル パワーMOSFETIXYS
769税込846特価
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 27 A, 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズ ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 27 A, 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)
2,198税込2,418
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON
2,798税込3,078
1袋(20個)
当日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
パワーリレー G7J omron(オムロン)パワーリレー G7Jomron(オムロン)(25件のレビュー)
5,598税込6,158特価
1個
当日出荷から66日以内出荷
高容量・高電圧を実現したコンタクタ領域に一歩近づいた多極パワーリレー。 高容量で抵抗・誘導負荷はもちろんモータ制御に強い威力を発揮。 定格電圧の50%まで瞬時電圧ドロップが起こっても接点チャタリングがありません。 コイルと接点間はもちろん、異極接点間も耐電圧4kV以上クリア。 絶縁材料はすべて、UL94V-0に合格した難燃材料を採用。 標準品にてUL、CSA規格認定形。 接点ギャップ3mm以上(両側)。
用途パッケージエアコンのコンプレッサおよびヒータ開閉制御用。 電動工具および各種モータの開閉制御用。 複写機、FAXなどのOA機器のランプ制御モータ駆動、電源開閉制御用。 包装機、食品加工機器のパワー制御用。 インバータ電源制御用。
Microchip MOSFETゲートドライバ 1.5 A PDIP 8-Pin ローサイド スルーホール MICROCHIPMicrochip MOSFETゲートドライバ 1.5 A PDIP 8-Pin ローサイド スルーホールMICROCHIP
1,698税込1,868
1袋(5個)
当日出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
BARTH ロジックコントローラ スタータキット Mosfet、ソリッドステート 8 x Output BARTHBARTH ロジックコントローラ スタータキット Mosfet、ソリッドステート 8 x OutputBARTH
32,980税込36,278
1個
当日出荷
仕様●シリーズ:STG-600●電源電圧:7 → 32 V dc●出力タイプ:Mosfet、ソリッドステート●ディスプレイ込み:なし●ターミナルタイプ:スプリング●使用されているプログラミング言語:miCon-L●モジュールタイプ:Mini-PLC I/Oモジュール長さ(mm)93取付方式パネル取り付け出力電流(A)8入力方式アナログ、デジタルRoHS指令(10物質対応)対応出力数8入力数10
微小信号型 フォトモスリレー AQWシリーズ Panasonic(パナソニック)微小信号型 フォトモスリレー AQWシリーズPanasonic(パナソニック)
599税込659
1個
当日出荷から7日以内出荷
Pro シリーズ 12V 100Ahスマートリン酸鉄リチウムイオンバッテリー ヒート機能付き Bluetooth内蔵 RENOGY JAPANPro シリーズ 12V 100Ahスマートリン酸鉄リチウムイオンバッテリー ヒート機能付き Bluetooth内蔵RENOGY JAPAN
36,980税込40,678
1台
翌々日出荷
1.60+ 自動車グレードのBMS保護Renogyの12V 100Ahリチウムイオンバッテリーは、安全モニタリングと精密な制御のために60以上の信頼性のあるBMS保護メカニズムを装備しています。このディープサイクルマリンバッテリーは、過電圧、低電圧、過電流、ショートサーキット、高温、低温、過充電、過放電など、あらゆる状況で100%の完全保護を提供します。さらに、通常の受動的な保護とは異なり、統合された自己制御保護システムは自己起動し、効果的にバッテリーの過電流や過電圧の故障を防止します。2.アクティブバックアップ保護12V 100Ah Proバッテリーは、初めてアクティブバックアップ保護を搭載しました。MOSFETスイッチが故障した場合、従来のパッシブ保護よりも40倍速く回路を遮断することができます。そのため、バッテリーパックを危険にさらすことはありません。3.インテリジェントな自己加熱機能内蔵の温度管理システムは、低温で自動的に作動してバッテリーの充電を維持し、寒冷環境での充電性能を確保し、バッテリーの寿命を延ばします。この12V 100Ah LiFePO4バッテリーは、氷点下でも安全に充電できるよう、4A以上の充電電流で自動的に発熱し、魚群探知機やその他の必需品を長持ちさせる均一な電力を供給します。固有の難燃性4.12V 100Ahリン酸鉄リチウムバッテリーは、革新的なUL94 V-0難燃材料に最適化されており、固有の難燃性を誇り、過熱や熱不安定性に関連するリスクを軽減します。その特殊な化学構造は、燃焼に対するシールドとして機能し、安全が妥協できないアプリケーションに最適です。5.DC HOMEアプリによる簡単なモニタリングBluetooth内蔵で、DC HOMEアプリを通じて簡単にバッテリーのパラメーターを監視・設定可能です。容量不足などの情報が可視化され、バッテリーを常に最適な状態で利用することが可能です。6.安全認証と7年保証新エネルギー資源市場の業界をリードするブランドとして、この12v 100AhバッテリーはIP67の防水率でトローリングモーターやボートに使用するように設計されており、短時間の水浸しに対して、防塵性、耐腐食性設計(ISO 9227認定)、衝撃保護が提供されます。
用途AGV電源、お車や船舶に設置するサブバッテリー、ご家庭での節電や対策や災害時の備えとして最適なバッテリーです。寸法(mm)268×193×205質量(kg)12.2温度範囲(℃)【充電】0~55【放電】-20~60接続方法並列接続(最大8個)保護等級IP67保存温度(℃)-25~65公称電圧(V)12.8寿命5000サイクル(80%DOD)(0.5C、25℃)バッテリー容量(Ah)100充電電圧(V)14.4充電電流(A)【最大連続】100推奨トルク(N・m)8動作湿度(%)10~95適応ボルトサイズ【ターミナルボルト】M8×1.25×12mm/【ロングターミナルボルト】M8×1.25×16mmRoHS指令(10物質対応)対応各種認証MSDS、UN38.3、FCC、CE、PSE、UKCA最大放電電流(A)【ピーク】245A@30s【連続】100取扱説明書(9.38MB)定格電圧範囲(V)10~14.8
Toshiba (東芝) フォトカプラ, MOSFET出力 東芝Toshiba (東芝) フォトカプラ, MOSFET出力東芝
1,998税込2,198
1袋(5個)
当日出荷
実装タイプスルーホール実装出力デバイスMOSFET最大順方向電圧(V)1.4チャンネル数1ピン数(ピン)4パッケージDIP電流の種類(入力)DC最大入力電流(mA)30シリーズTLP241A絶縁電圧(Vrms)5000
Toshiba Pチャンネル MOSFET 東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET東芝(1件のレビュー)
1,698税込1,868
1袋(5個)ほか
当日出荷から翌々日出荷
実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型
Arduinoをはじめよう「Arduino&書籍&部品セット 共立プロダクツArduinoをはじめよう「Arduino&書籍&部品セット共立プロダクツ(1件のレビュー)
11,980税込13,178
1セット
当日出荷
入門者向けセットです。
種類工作キットセット内容書籍:Arduinoをはじめよう 第3版×1、Arduino Leonardo×1、USBケ-ブル:A-microB(1m)×1、ブレッドボード(KH-102)×1、ジャンプワイヤーキット(BBJ-65)×1、カーボン抵抗(1/4W 5% 10kΩ)×5、超小型タクトスイッチ(0.7mmタイプ)(PT6601)×5、カーボン抵抗(1/4W 5% 220Ω)×5、CdSセル/光センサー(Φ10mm)(SEN-5003)×1、LED 5mm赤(GL5HD44)×1、LEDΦ5mmマルチカラー(RT5-5818RGBW-B)×1、LEDΦ5mm赤(L-513ET)×1、LEDΦ5mm緑(L-513GT)×1、LEDΦ5mm青(AL-513B7T-002)×1、I2Cバス接続リアルタイムクロックモジュール(Rtc612-1307-13SP)×1、基板用リレー2回路2接点(G5V-2 DC5V)×1、Nch-MOSFET(2N7000)×1、スイッチングダイオード(1N4148)×2、温湿度センサ(DHT11)×1
好感度低オン抵抗型 ソリッドステートリレー AQVシリーズ Panasonic(パナソニック)好感度低オン抵抗型 ソリッドステートリレー AQVシリーズPanasonic(パナソニック)
479税込527
1個
当日出荷から7日以内出荷
ソリッドステートリレー, 1a接点 Sensata / Crydomソリッドステートリレー, 1a接点Sensata / Crydom
3,998税込4,398
1個
当日出荷から7日以内出荷
Murata Power Solutions 絶縁DC-DCコンバータ Murata Power SolutionsMurata Power Solutions 絶縁DC-DCコンバータMurata Power Solutions
1,598税込1,758
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝(1件のレビュー)
949税込1,044
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 6.7 A, 3 ピン パッケージTO-220AB VISHAYVishay Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 6.7 A, 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY
199税込219
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240A(F(O AC入力, MOSFET出力, 4-Pin 東芝フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240A(F(O AC入力, MOSFET出力, 4-Pin東芝(1件のレビュー)
599税込659
1袋(2個)
欠品中
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 207 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 207 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ東芝
569税込626
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel, TK100 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Solid State Relay Sensata / CrydomSolid State RelaySensata / Crydom
9,398税込10,338
1個
当日出荷から7日以内出荷
Recom 絶縁DC-DCコンバータ RECOMRecom 絶縁DC-DCコンバータRECOM
1,498税込1,648特価
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
759税込835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
高性能充電器 CXシリーズ COTEK(コーテック)高性能充電器 CXシリーズCOTEK(コーテック)
29,980税込32,978
1台
当日出荷から9日以内出荷
ディップスイッチにより充電電圧の設定が可能 同タイプで容量の違うバッテリーを複数同時に充電可能 バッテリー劣化防止機能
種類バッテリー:鉛蓄/ニッケル/AGM/リチウムイオン(別途設定必要)周波数範囲(Hz)47~63絶縁方式それぞれの出力ターミナルにパワーMOSFETを使用力率0.92以上 (最大負荷時)温度係数±0.03% (0~50℃)使用電圧範囲(V)90~264/AC振動10~500Hz、 2G 10分間、1サイクルを 60分間 それぞれX、 Y、 Z 軸方向に沿って振動動作湿度(%)20~90(非結露状態)動作温度範囲(℃)-20~50(出力負荷軽減曲線)入力電圧(V)AC100機能CR-1でのリモートON/OFFRoHS指令(10物質対応)対応
ソレノイド制御基板 マルチコントローラーA タカハ機工ソレノイド制御基板 マルチコントローラーAタカハ機工
2,798税込3,078
1個
5日以内出荷
簡単にソレノイドを駆動できる制御基板 ソレノイドの駆動電圧に合わせたACアダプタや電池ボックスを用意することで、簡単にソレノイドを駆動できる制御基板です。 ソレノイドの駆動電圧は、6V/12V/24Vが一般的なので、3.3Vや5Vで動作するマイコンとは別に電源を用意する必要があります。 電源にはプラグがΦ2.1でセンタープラスの一般的なACアダプタを接続し、ソレノイドはスクリューターミナルに電線で接続します。 ArduinoやRaspberry Pi、Ichigo Jam、micro:bitなどのマイコンボードを接続できる端子やコネクタの基板パターンが用意されており、GroveコネクタによりM5StackやSeeduinoを接続することもできます。ただし、使用する端子やコネクタは別途用意してはんだ付けする必要があります。 ソレノイドの駆動にはNチャンネルMOSFETが使用され、MOSFETのゲートにマイコンから5Vや3.3Vが印加されるとONになります。また、中央にあるタクトスイッチを押してもONになります。ONになると赤色LEDが点灯します。 スクリューターミナルにソレノイドを接続 最大4台のソレノイドを制御可能
型式SB-6565-01寸法(mm)65×65×15質量(g)28タイプソレノイド接続タイプ:リード線端子タイプ接続接続可能マイコン:Arduino、micro:bit、Raspberry Pi、Ichigo Jam、Groveで接続可能なマイコンボード
電源スイッチIC Toshiba 東芝電源スイッチIC Toshiba東芝
1,998税込2,198
1袋(10個)
当日出荷
仕様電源スイッチトポロジ = ハイサイドチャンネル数 = 8動作供給電圧 Max = 0.6 V (オフ), 25 V (オン)最大動作電流 = 0.1 (ON) mA, 1 (OFF) μA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 18動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 13 x 7 x 2mmシリーズ = TBD62083AMOSFETドライバアレイ、東芝. DMOSトランジスタアレイは、複数の抵抗性負荷や誘導性負荷を駆動するのに適しています。TBD62083シリーズは、クランプダイオード、コモンアース、供給ピンが付属したオクタルNチャンネルMOSFETドライバです。この入力は、低電圧の駆動源に対応します。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
2,398税込2,638
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP350(TP5,F), IGBT,MOSFET ゲート駆動用, 8-Pin 東芝フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP350(TP5,F), IGBT,MOSFET ゲート駆動用, 8-Pin東芝
419税込461
1個
当日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 15ns最大入力電流 = 20 mA絶縁電圧 = 3750 V ac標準降下時間 = 8nsフォトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ブラシ付きDCモータードライバーIC DIP化基板(TB67H450FNG) マルツエレックブラシ付きDCモータードライバーIC DIP化基板(TB67H450FNG)マルツエレック
599税込659
1個
5日以内出荷
モータードライバーIC TB67H450FNGのピッチ変換基板 東芝デバイス&ストレージ社製のブラシ付きDCモータ用のドライバIC「TB67H450FNG」を実装した基板で2.54mmのシングルインラインパッケージに変換できます。TB67H450FNG は、PWMチョッパ方式のDCブラシモータドライバで、モータ出力部を1チャネル内蔵しています。BiCDプロセスを採用し、出力耐圧50V、最大電流3.5Aを実現しています。 ストレートとライトアングルの2種類のピンヘッダーが付属しています。 DCモータ駆動用の汎用ブリッジドライバ BiCDプロセスによるモノリシックIC 駆動モータ数(ブラシ付きモータ):1 PWM定電流駆動、ダイレクトPWM駆動(制御)に対応 正転 / 逆転 / ブレーキ / STOP (OFF、スタンバイ) の4モードに対応 低オン抵抗(上下和=0.6Ω(標準)) の出力MOSFETを内蔵 高耐圧+大電流駆動 (絶対最大定格、動作範囲を参照) を実現 各種異常検出機能を内蔵:過熱検出 (TSD)、過電流検出 (ISD)、低電圧検出 (UVLO) 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵
関連資料(0.48MB)
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN東芝(1件のレビュー)
2,998税込3,298
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
N-ch MOSFET 東芝N-ch MOSFET東芝
119税込131
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Trumeter アワーカウンタ パネル取り付け 8桁 TRUMETERTrumeter アワーカウンタ パネル取り付け 8桁TRUMETER(1件のレビュー)
6,998税込7,698
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RoHS指令(10物質対応)対応
ソリッドステートリレー, SPNO Schneider Electric シュナイダーエレクトリックソリッドステートリレー, SPNO Schneider Electricシュナイダーエレクトリック
2,298税込2,528特価
1個
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ATOMIC PWMベース(EG27324) M5StackATOMIC PWMベース(EG27324)M5Stack
1,498税込1,648
1個
5日以内出荷
Atom Lite、Atom Matrix、AtomS3 Lite、Atom3にマウント可能 シングルチャンネル低レイテンシPWM信号出力 ハイパワーMOSFET、出力容量:12V@100W Grove拡張インターフェース DC/DC(12V to 5V)変換回路を内蔵 取り付けや操作が簡単 開発環境:Arduino、UIFlow
仕様【ドライバチップ】EG27324【MOS FET】FDD8447Lセット内容ATOMIC PWM Base ×1、3.96-4P ターミナル ×1寸法(mm)24×48×18質量(g)9.9チャンネル数【駆動】1入力電圧範囲(V)DC12~24インジケータ【電源】赤最大出力電圧(V)12@100W
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi
329税込362
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チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 830 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.19mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
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