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1袋(5個)
1,798 税込1,978
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INFINEONMOSFET Driver
エコ商品
仕様MOSFET / IGBTドライバ、ハイサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
2,698 税込2,968
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INFINEONMOSFET P-Ch
エコ商品
仕様Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
49,980 税込54,978
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1,698 税込1,868
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仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2.1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●最大パワー消費:10.8 W●1チップ当たりのエレメント数:1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,498 税込2,748
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仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:小信号●最大パワー消費:1.8 W●シリーズ:SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
64,980 税込71,478
7日以内出荷


仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 185 Aパッケージタイプ = TO-220 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
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仕様出力電流 = 350 mA供給電圧 = 45Vピン数 = 24パッケージタイプ = PG-SSOP-24 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
729,800 税込802,780
7日以内出荷

仕様ロジックタイプ = CMOS, LSTTL供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = 8 Lead PDIPns RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = PQFN実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
689 税込758
7日以内出荷

仕様ロジックタイプ = CMOS, LSTTL出力電流 = 1.9 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = 8 Lead SOICns RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(95個)
23,980 税込26,378
7日以内出荷

仕様ロジックタイプ = CMOS, LSTTL出力電流 = 420 mA供給電圧 = 25Vピン数 = 28パッケージタイプ = 28 Lead SOICns RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(25個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 95 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,298 税込3,628
欠品中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SO-8実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
519 税込571
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 136 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = PG-TDSON実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2000個)
149,800 税込164,780
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

仕様最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 700 Vパッケージタイプ = PG-TO 220実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
929 税込1,022
7日以内出荷

Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 28 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm
1袋(25個)
3,598 税込3,958
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Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 225 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 34 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 6.35mm動作温度 Min -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,798 税込3,078
7日以内出荷

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm
1袋(5個)
2,998 税込3,298
7日以内出荷

Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ;sup>R ;/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
2,498 税込2,748
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仕様出力電流 = 4 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC8Nns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,598 税込2,858
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 155 Aパッケージタイプ = PG-HSOF-8 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様最大連続ドレイン電流 = 24.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 Vパッケージタイプ = PG-TO220-3-1実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
23,980 税込26,378
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SO-8実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

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