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RoHS10物質対応(36)
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Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥2,598税込￥2,858
1袋(5個)
翌々日出荷
PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 38 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥1,898税込￥2,088
1袋(10個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 43.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥999税込￥1,099
1個
5日以内出荷
Infineon CoolMOS CFDパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 43.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) CFD実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 80 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 391 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 0.9VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 25 mA， BFP720H6327XTSA1INFINEON￥609税込￥670
1袋(15個)
7日以内出荷
SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 25 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 13 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 1.2 Vピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 96 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃V
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 660 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンINFINEON￥68,980税込￥75,878
1セット(1000個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 660 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.8 Ωチャンネルモード = デプレッション型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.6mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 高速スイッチINFINEON￥869税込￥956
1個
7日以内出荷
仕様電源スイッチの種類：高速スイッチ 、 スイッチオン抵抗：0.165Ω 、 出力数：4 、 電圧：16V 、 電流：7.5A 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：DSO 、 ピン数：20 、 寸法：12.8 x 7.6 x 2.45mm 、 長さ：12.8mm 、 幅：7.6mm 、 高さ：2.45mm 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、マルチチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流用 ブリッジダイオードINFINEON￥64,980税込￥71,478
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様ブリッジタイプ：単相 、 ピーク逆繰返し電圧：40V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-143 、 ピン数：4 、 ダイオードテクノロジー：ショットキー 、 構成：シングル 、 ピーク非繰返し順方向サージ電流：2A 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 ピーク順方向電圧：790mV 、 ピーク逆電流：10μA 、 長さ：2.9mm 、 幅：1.3mm 、 基板表面実装用ブリッジ整流器、BAS4002A、Infineon. 順方向低電圧ショットキーダイオードクワッドアレイ ロスの少ないブリッジ整流 高速スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 8 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピンINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
7日以内出荷
PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = Si4435DYPbF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = 20 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.5mm
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON￥41,980税込￥46,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.02mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 20 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(5個)
7日以内出荷
Infineon CoolMOSE6 P6シリーズパワーMOSFET. Infineon のCoolMOS ；sup>； ；/sup>；E6及びP6シリーズのMOSFETです。 これらのデバイスは非常に効率が高く、力率補正(PFC)、照明、コンシューマデバイスだけでなく、太陽発電、通信、サーバーなど各種の用途で使用できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 151 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V動作温度 Max = +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 = 0.9VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ TDSON実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 8.6 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 156 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 1.2VInfineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 3 A、4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンINFINEON￥189,800税込￥208,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon。InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N， P、最大連続ドレイン電流 = 3 A、4 A、最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V、シリーズ = HEXFET、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 8、最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ， 160 mΩ、チャンネルモード = エンハンスメント型、最大ゲートしきい値電圧 = 1V、最低ゲートしきい値電圧 = 1V、最大パワー消費 = 1.4 W、トランジスタ構成 = 絶縁型、最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V、動作温度 Max = +150 ℃mm、高さ = 1.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥7,698税込￥8,468
1セット(50個)
7日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 75 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.7 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 330 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon シングル1:1 アナログスイッチINFINEON￥399,800税込￥439,780
1リール(2500個)
7日以内出荷
仕様構成：シングル1:1 、 パッケージタイプ：TO-252 、 実装タイプ：表面実装 、 標準シングル供給電圧：52 V 、 スイッチタイプ：ハイサイド 、 ピン数：5 、 電源タイプ：シングル 、 入力信号タイプ：CMOS 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 1チップ当たりのチャンネル数：1 、 寸法：6.5 x 6.22 x 2.3mm 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET80 V 3.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンINFINEON￥1,998税込￥2,198
1袋(20個)
7日以内出荷
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 73 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 2.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON￥49,980税込￥54,978
1セット(3000個)
7日以内出荷
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 92 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.25 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.02mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET25 V 5.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON￥36,980税込￥40,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 1.25 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
力率コントローラ InfineonINFINEON￥1,798税込￥1,978
1袋(10個)
7日以内出荷
PFCコントローラ - CCM、Infineon. 不連続導通モード動作を利用するInfineon及びInternational RectifierのPFC (力率補正)コントローラ製品です。
仕様最大スイッチング周波数 = 250 kHzスタートアップ供給電流 = 2.4mAインターフェース = 力率コントローラICmA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DSOピン数 = 14寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm長さ = 8.75mm動作供給電圧 Max = 25 V動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 電源スイッチICINFINEON￥1,698税込￥1,868
1袋(4個)
7日以内出荷
PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護
仕様電源スイッチの種類 = ハイサイドスイッチオン抵抗 = 32mΩ動作供給電圧 Max = 20 V出力数 = 2A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-252ピン数 = 5動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 6.5 x 6.22 x 2.3mm
Infineon 電源スイッチICINFINEON￥1,698税込￥1,868
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様電源スイッチトポロジ = ハイサイドオン抵抗 = 90mΩ動作供給電圧 Max = 28 V出力数 = 1A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DSO-8-43ピン数 = 8動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.45mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 電源スイッチICINFINEON￥709税込￥780
1袋(2個)
7日以内出荷
PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護
仕様電源スイッチトポロジ = ハイサイドオン抵抗 = 200mΩ動作供給電圧 Max = 16 V出力数 = 1A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-252ピン数 = 5動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 6.5 x 6.22 x 2.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 電源スイッチICINFINEON￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
HITFETスマートローサイド電源スイッチ、Infineon. HITFET車載スマートローサイドスイッチシリーズは、ESD、加熱、短絡、過負荷状況からの保護を内蔵しています。HITFETファミリは、最大480 mΩのスイッチオン抵抗を備え、RDSonにスケールできます。. 診断又は、ラッチ及び再開保護 簡単に交換可能
仕様電源スイッチトポロジ = ローサイドオン抵抗 = 480mΩ動作供給電圧 Max = 10 V出力数 = 4A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 5 x 4 x 1.45mmRoHS指令(10物質対応)対応
