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Infineon CDM10V は、完全に統合された 0-10 V 調光インターフェイス IC で、小型基板の省スペース要件を満たす 6 ピン SOT パッケージに収められています。このデバイスは、照明でのさまざまな調光用途を対象にしています。この IC は、0-10 V の調光器又はポテンショメータから照明コントローラ IC の調光又は PWM 入力にアナログ電圧ベースの信号を送信

照明 ICInfineon デュアルモード NFC 構成 IC ( NLM0011 )は、パルス幅変調( PWMNFC プログラミングに加えて、一定ルーメン出力( CLO )やオン / オフカウントなどの Advanced 機能も統合されています。デュアルモード NFC 構成 IC の機能により、マイクロコントローラを追加しなくても簡単に実現できます。設定可能なパルス幅変調( PWM )出力 NFC

照明 ICInfineon デュアルモード NFC 構成 IC ( NLM0010 )は、パルス幅変調( PWMNFC プログラミングに加えて、オン / オフカウントなどの Advanced 機能も統合されています。デュアルモード NFC 構成 IC の機能により、マイクロコントローラを追加しなくても簡単に実現できます。設定可能なパルス幅変調( PWM )出力 NFC 非接触インターフェイスは IS

Infineon CDM10V は、完全に統合された 0-10 V 調光インターフェイス IC で、小型基板の省スペース要件を満たす 6 ピン SOT パッケージに収められています。このデバイスは、照明でのさまざまな調光用途を対象にしています。この IC は、0-10 V の調光器又はポテンショメータから照明コントローラ IC の調光又は PWM 入力にアナログ電圧ベースの信号を送信

Infineon CDM10V は、完全に統合された 0-10 V 調光インターフェイス IC で、小型基板の省スペース要件を満たす 6 ピン SOT パッケージに収められています。このデバイスは、照明でのさまざまな調光用途を対象にしています。この IC は、0-10 V の調光器又はポテンショメータから照明コントローラ IC の調光又は PWM 入力にアナログ電圧ベースの信号を送信して、電流ベースの PWM 信号として外部オプトカプラを駆動するために使用できます。CDM10V は従来のソリューションの多くのコンポーネントの後継機種で、BOM と基板スペースを大幅に節約します。アクティブ / パッシブ調光に加え、PWM 入力可能な減光からオフまで対応しています。さまざまな用途に対応する 1 つのソリューションワンタイムプログラミングインターフェイスでは、さまざまな構成が可能です。プログラム可能 広い入力 V cc 範囲： 11-25V 透過 PWM モード 多くの外付け部品をシングルチップに置き換えることで、BOM 及び基板スペースを節約します デバイス間の最小変動

Infineon CDM10V は、完全に統合された 0-10 V 調光インターフェイス IC で、小型基板の省スペース要件を満たす 6 ピン SOT パッケージに収められています。このデバイスは、照明でのさまざまな調光用途を対象にしています。この IC は、0-10 V の調光器又はポテンショメータから照明コントローラ IC の調光又は PWM 入力にアナログ電圧ベースの信号を送信

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、1100 1600 V. Infineonのコレクタ-エミッタ電圧の定格が1100 1600 VのIGBTトランジスタ製品です。TrenchStopテクノロジーを使用しています。このシリーズには、高速度、高速回復アンチパラレルダイオード搭載の素子が含まれています。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 1100 →1600 超低VCEsat 低ターンオフ損失 短テール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

高速スイッチングエミッタ制御ダイオード、Infineon. Infineon 切り替えエミッタ制御ダイオードは、Rapid 1及びRapid 2ファミリの600 V / 1200 V超ソフトダイオードです。 これらのダイオードは、通信、UPS、溶接、AC-DCの多様な用途で動作し、超ソフトバージョンは最高で30 kHzのモータ駆動用途で動作します。. ；i> Rapid 1 ；/i>ダイオードは、18 kHzと40 kHzの間で切り替わります。 温度安定性のある順方向電圧: 1.35 V 力率補正(PFC)トポロジに最適 ；i>Rapid 2ダイオード ；/i> は、40 kHzと100 kHzの間で切り替わります。 低い逆回復電荷量: BiC性能向けの順方向電圧 短い逆回復時間 ブーストスイッチのターンオン損失が低い ；i> 超高速ダイオード ；/i> 600 V / 1200 Vエミッタ制御技術 JEDEC規格に適合 優れたEMI対策 低い導電損失 並列接続が簡単

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

Infineon CoolMOSC3パワーMOSFET

PINダイオード、Infineon. RFスイッチングやアッテネータ用途に適したさまざまなPINダイオード

Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET