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XMC4500 32ビット産業用マイクロコントローラ、Infineon. DAVE ;sup>TM ;/sup> 3 ソフトウェアは、XMC4000シリーズでハードウェアの機能を利用するソフトウェアを開発するのに役立つ無料のツールチェーンです。 このDAVEツールには、既存のDAVEツールのあらゆる機能と、IDE、コンパイラ、デバッガ、低レベルコード生成の機能が組み込まれています。 このツールは使いやすく、組み込みコードはDAVEアプリと呼ばれています。DAVEアプリは、Webからダウンロードして構成することができます。 自由なアプリケーションコード設計により、評価から生産(E2P)までの用途に応じたアプリを必要な数だけ追加することができます。 www.infineon.com/DAVEからDAVE ;sup>TM ;/sup>を無料でダウンロード. ARM ;sup>R ;/sup> Cortex-M4、120 MHz (シングルサイクルDSP MAC及び浮動少数点ユニット(FPU)搭載) 1 MB組み込みフラッシュ(ハードウェアECC内蔵) 160 Kb SRAM (XMC4504 128 Kb) 12チャンネルDMA IEEE1588準拠イーサネットMAC USB 2.0フルスピードOn-the-Go 充実したセット内容: 各種タイマ、PWM、デルタ-シグマ復調器、一インターフェイス 最大26チャンネルを備えた12ビットADCカーネル x 4、12ビットDAC x 2 多機能シリアルインターフェイスモジュール x 6 (SPI、I2C、I2S、UARTに構成可能) CANノード x 3 外付けバスインターフェイス。SDRAM、SRAM、NOR- / NAND-Flash及びメモリマップI / O装置(LCD)をサポート SD / MMCインターフェイス タッチインターフェイス及びLEDマトリックス バッテリバックアップ式リアルタイムクロック(カレンダー機能及びタイムベース又は外部ウェイクアップ機能を搭載)
仕様ファミリー名 = XMC4000パッケージタイプ = LQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 100デバイスコア = ARM Cortex M4データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 1.024 MB最大周波数 = 120MHzRAMサイズ = 160 kBUSBチャンネル = 1標準動作供給電圧 = 1.3 V、3.3 V最大イーサネットチャンネル数 = 1mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,998 税込2,198
5日以内出荷

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 34 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 100 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 313 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ET RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,498 税込1,648
5日以内出荷

Infineon CoolMOS CFDパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 43.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) CFD実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 80 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 391 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 0.9V RoHS指令(10物質対応)対応
1個
999 税込1,099
5日以内出荷

Infineon CoolMOS-C6 / C7パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 83 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) C6実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 37 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.5V最低ゲートしきい値電圧 2.5V最大パワー消費 500 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V1チップ当たりのエレメント数 1mm順方向ダイオード電圧 0.85V RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,298 税込2,528
5日以内出荷





仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 0.015 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.1V1チップ当たりのエレメント数 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm
1袋(5個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 208 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 5.3mm高さ 20.95mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ET RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
15,980 税込17,578
7日以内出荷

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 13.7 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 2.5 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
359 税込395
7日以内出荷

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 6 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.2V最低ゲートしきい値電圧 1V最大パワー消費 79 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,798 税込1,978
7日以内出荷

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 225 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 34 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 6.35mm動作温度 Min -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,198 税込2,418
7日以内出荷

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 4.1 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 4.57mm高さ 15.95mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
18,980 税込20,878
7日以内出荷


Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ CoolMOS(TM) C3実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.5 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 40 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V標準ゲートチャージ Vgs 45 nC 10 Vmm高さ 16.15mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
979 税込1,077
7日以内出荷

Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 V Cool MOS C7 シリーズは、 SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 V C7 は、 RDS ( on ) * A が 1 オーム * mm 2 未満の初めてのテクノロジーです。鉛フリーリードめっき RoHS対応 優れた熱抵抗:アバランシェ 100 % テスト済み IEC61249-2-23 準拠のハロゲンフリーです
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 63.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.048 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V1チップ当たりのエレメント数 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
999 税込1,099
7日以内出荷

Infineon OptiMOS シリーズ N チャンネル MOSFET は、 DPAK パッケージに収納されています。最高の電流能力、最低のスイッチング損失、及び導電電力損失により、高い熱効率と堅牢なパッケージにより、優れた品質と信頼性を実現しています。車載AEC Q101認定 MSL1 Peak リフロー:最高 260 ° C 175 ° C の動作温度 グリーンパッケージ 超低 RDS 100% アバランシェ試験済み
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.035 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2Vトランジスタ素材 Si RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 Cool MOS C7 シリーズは、SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 C7 は、RDS on * が オーム mm 未満の初めてのテクノロジーです。超高速ボディダイオード
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 31.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.11 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V1チップ当たりのエレメント数 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
459,800 税込505,780
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ CoolMOS(TM) CE実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.95 Ω最大ゲートしきい値電圧 3.5V1チップ当たりのエレメント数 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
2,398 税込2,638
7日以内出荷

Infineon の 800 V Cool MOS CE MOSFET は、安全性と性能及び耐久性を兼ね備えた高電圧容量で、最高の効率レベルで安定した設計が可能です。RoHS に準拠しています
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ CoolMOS(TM) CE実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 Ω最大ゲートしきい値電圧 3.9V1チップ当たりのエレメント数 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
199,800 税込219,780
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 34.5 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 30 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃mm
1セット(50個)
17,980 税込19,778
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 38 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ CoolMOS(TM) C6実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 99 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.5V最低ゲートしきい値電圧 2.5V最大パワー消費 278 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V幅 5.21mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C6 C7パワーMOS(TM)ET RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
18,980 税込20,878
7日以内出荷




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