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Infineon CDM10V は、完全に統合された 0-10 V 調光インターフェイス IC で、小型基板の省スペース要件を満たす 6 ピン SOT パッケージに収められています。このデバイスは、照明でのさまざまな調光用途を対象にしています。この IC は、0-10 V の調光器又はポテンショメータから照明コントローラ IC の調光又は PWM 入力にアナログ電圧ベースの信号を送信

Infineon CDM10V は、完全に統合された 0-10 V 調光インターフェイス IC で、小型基板の省スペース要件を満たす 6 ピン SOT パッケージに収められています。このデバイスは、照明でのさまざまな調光用途を対象にしています。この IC は、0-10 V の調光器又はポテンショメータから照明コントローラ IC の調光又は PWM 入力にアナログ電圧ベースの信号を送信

照明 ICInfineon デュアルモード NFC 構成 IC ( NLM0011 )は、パルス幅変調( PWMNFC プログラミングに加えて、一定ルーメン出力( CLO )やオン / オフカウントなどの Advanced 機能も統合されています。デュアルモード NFC 構成 IC の機能により、マイクロコントローラを追加しなくても簡単に実現できます。設定可能なパルス幅変調( PWM )出力 NFC

照明 ICInfineon デュアルモード NFC 構成 IC ( NLM0010 )は、パルス幅変調( PWMNFC プログラミングに加えて、オン / オフカウントなどの Advanced 機能も統合されています。デュアルモード NFC 構成 IC の機能により、マイクロコントローラを追加しなくても簡単に実現できます。設定可能なパルス幅変調( PWM )出力 NFC 非接触インターフェイスは IS

Infineon CDM10V は、完全に統合された 0-10 V 調光インターフェイス IC で、小型基板の省スペース要件を満たす 6 ピン SOT パッケージに収められています。このデバイスは、照明でのさまざまな調光用途を対象にしています。この IC は、0-10 V の調光器又はポテンショメータから照明コントローラ IC の調光又は PWM 入力にアナログ電圧ベースの信号を送信して、電流ベースの PWM 信号として外部オプトカプラを駆動するために使用できます。CDM10V は従来のソリューションの多くのコンポーネントの後継機種で、BOM と基板スペースを大幅に節約します。アクティブ / パッシブ調光に加え、PWM 入力可能な減光からオフまで対応しています。さまざまな用途に対応する 1 つのソリューションワンタイムプログラミングインターフェイスでは、さまざまな構成が可能です。プログラム可能 広い入力 V cc 範囲： 11-25V 透過 PWM モード 多くの外付け部品をシングルチップに置き換えることで、BOM 及び基板スペースを節約します デバイス間の最小変動

Infineon CDM10V は、完全に統合された 0-10 V 調光インターフェイス IC で、小型基板の省スペース要件を満たす 6 ピン SOT パッケージに収められています。このデバイスは、照明でのさまざまな調光用途を対象にしています。この IC は、0-10 V の調光器又はポテンショメータから照明コントローラ IC の調光又は PWM 入力にアナログ電圧ベースの信号を送信

PINダイオード、Infineon. RFスイッチングやアッテネータ用途に適したさまざまなPINダイオード

Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応

Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応

SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。

RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。

Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET