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IXFN200N10P IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 200 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET100 V 200 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4 動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスクリューマウント チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)200 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最小ゲートしきい値電圧(V)3 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 最大パワー消費680W
1個
￥4,270 税込￥4,697
5日以内出荷
IXFB210N30P3 IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 210 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET300 V 210 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)210 最大ドレイン-ソース間電圧(V)300 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費1.89kW
1個
￥4,630 税込￥5,093
5日以内出荷
IXFH24N80P IXYS Nチャンネル MOSFET800 V 24 A スルーホール パッケージTO-247AD 3 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET800 V 24 A スルーホール パッケージTO-247AD 3 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)24 最大ドレイン-ソース間電圧(V)800 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)400 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費650W
1個
￥1,750 税込￥1,925
5日以内出荷
IXFN60N80P IXYS Nチャンネル MOSFET800 V 53 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET800 V 53 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4 動作温度(℃)(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスクリューマウント チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)53 最大ドレイン-ソース間電圧(V)800 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30 トランジスタ構成シングル 標準ゲートチャージ250nC@10V 最大パワー消費1.04kW
1個
￥7,020 税込￥7,722
5日以内出荷
IXFN180N15P IXYS Nチャンネル MOSFET150 V 150 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET150 V 150 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
長さ(mm)38.23 シリーズHiperFET，Polar ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスクリューマウント チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)150 最大ドレイン-ソース間電圧(V)150 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)11 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費680000mW
1個
￥4,450 税込￥4,895
5日以内出荷
IXFR140N30P IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 70 A スルーホール パッケージISOPLUS247 3 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET300 V 70 A スルーホール パッケージISOPLUS247 3 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズPolarHiPerFET ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)70 最大ドレイン-ソース間電圧(V)300 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最小ゲートしきい値電圧(V)3 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 最大パワー消費300W
1個
￥3,530 税込￥3,883
5日以内出荷
IXFN64N50P IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 61 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET500 V 61 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6 シリーズHiperFET，Polar ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスクリューマウント チャンネルタイプN 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)61 最大ドレイン-ソース間電圧(V)500 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)85 最大ゲートしきい値電圧(V)5.5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費700000mW
1個
￥4,450 税込￥4,895
5日以内出荷
IXTP75N10P IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 75 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET100 V 75 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)75 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25 最大ゲートしきい値電圧(V)5.5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 トランジスタ構成シングル 標準ゲートチャージ74nC@10V 最大パワー消費360000mW
1個
￥770 税込￥847
5日以内出荷
IXFN140N30P IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 115 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET300 V 115 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスクリューマウント チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)115 最大ドレイン-ソース間電圧(V)300 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 トランジスタ構成シングル 標準ゲートチャージ185nC@10V 最大パワー消費700000mW
1個
￥5,240 税込￥5,764
5日以内出荷
IXFH110N10P IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 110 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET100 V 110 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+175 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)110 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費480000mW
1個
￥1,220 税込￥1,342
5日以内出荷
IXFB132N50P3 IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 132 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET500 V 132 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)132 最大ドレイン-ソース間電圧(V)500 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費1.89kW
1個
￥3,870 税込￥4,257
5日以内出荷
IXFH94N30P3 IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 94 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET300 V 94 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3 シリーズHiperFET，Polar3 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)94 最大ドレイン-ソース間電圧(V)300 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,940 税込￥2,134
5日以内出荷
IXFK98N50P3 IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 98 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET500 V 98 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)98 最大ドレイン-ソース間電圧(V)500 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)50 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費1.3kW
1個
￥2,820 税込￥3,102
5日以内出荷
IXFH60N50P3 IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 60 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET500 V 60 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar3 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)60 最大ドレイン-ソース間電圧(V)500 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,759 税込￥1,935
5日以内出荷
IXFK150N30P3 IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 150 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピン IXYS
IXYSIXYS Nチャンネル MOSFET300 V 150 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピン
エコ商品
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)150 最大ドレイン-ソース間電圧(V)300 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費1.3kW
1個
￥3,188 税込￥3,507
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