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IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 210 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピンIXYS￥4,598税込￥5,058
1個
12日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)210最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.89kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 132 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピンIXYS￥3,998税込￥4,398
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)132最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.89kW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 94 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,898税込￥2,088
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3シリーズHiperFET，Polar3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)94最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 98 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピンIXYS￥2,998税込￥3,298
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)98最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)50最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.3kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 60 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,598税込￥1,758
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)60最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 150 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピンIXYS￥3,298税込￥3,628
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)150最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.3kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 61 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,298税込￥4,728
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)61最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)85最大ゲートしきい値電圧(V)5.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費700000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 115 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,798税込￥5,278
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)115最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ185nC@10V最大パワー消費700000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET800 V 24 A スルーホール パッケージTO-247AD 3 ピンIXYS￥1,498税込￥1,648
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)24最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)400最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費650W
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 200 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,498税込￥4,948
1個
6日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)200最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5最大ゲートしきい値電圧(V)5最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20最大パワー消費680W
IXYS Nチャンネル MOSFET800 V 53 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥6,698税込￥7,368
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)53最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ250nC@10V最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 75 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンIXYS￥789税込￥868
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)75最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25最大ゲートしきい値電圧(V)5.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ74nC@10V最大パワー消費360000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 110 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,298税込￥1,428
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NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)110最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費480000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 70 A スルーホール パッケージISOPLUS247 3 ピンIXYS￥3,298税込￥3,628
1個
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NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズPolarHiPerFETピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)70最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26最大ゲートしきい値電圧(V)5最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20最大パワー消費300W
