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Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMET 0402 U2JシリーズMLCC。KEMETのU2Jシリーズ積層チップコンデンサ(MLCC)は「安定した」コンデンサと見なされ、125℃の最大動作温度に対応します。U2J誘電体では、電圧に起因する静電容量のシフトを無視できます。さらに、この製品はクラス1 MLCCで使用できる静電容量範囲を拡張することで、これまではクラス11の誘電体材質のみで実現された静電容量を

電圧範囲 50 V dc の KEMET C0G 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、-55 → +125 ℃ の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます圧電ノイズなし ESR及びESLが極めて低い 熱安定性が高い 高いリプル電流性能

Cシリーズ。表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード)。温度安定範囲: -55 → +125℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125℃で、「安定」と見なされています。C0G誘電体はEIA (Electronics Components， Assemblies Materials Association)からクラスI材質に定義されています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は-55 ～ +125℃の範囲で±30 ppm/

KEMET 0402 U2JシリーズMLCC。KEMETのU2Jシリーズ積層チップコンデンサ(MLCC)は「安定した」コンデンサと見なされ、125℃の最大動作温度に対応します。U2J誘電体では、電圧に起因する静電容量のシフトを無視できます。さらに、この製品はクラス1 MLCCで使用できる静電容量範囲を拡張することで、これまではクラス11の誘電体材質のみで実現された静電容量を

KEMET 0402 U2JシリーズMLCC。KEMETのU2Jシリーズ積層チップコンデンサ(MLCC)は「安定した」コンデンサと見なされ、125℃の最大動作温度に対応します。U2J誘電体では、電圧に起因する静電容量のシフトを無視できます。さらに、この製品はクラス1 MLCCで使用できる静電容量範囲を拡張することで、これまではクラス11の誘電体材質のみで実現された静電容量を

電圧範囲 50 V dc の KEMET C0G 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、-55 → +125 ℃ の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます圧電ノイズなし ESR及びESLが極めて低い 熱安定性が高い 高いリプル電流性能

KEMET 0402 U2JシリーズMLCC。KEMETのU2Jシリーズ積層チップコンデンサ(MLCC)は「安定した」コンデンサと見なされ、125℃の最大動作温度に対応します。U2J誘電体では、電圧に起因する静電容量のシフトを無視できます。さらに、この製品はクラス1 MLCCで使用できる静電容量範囲を拡張することで、これまではクラス11の誘電体材質のみで実現された静電容量を

KEMET 電子機器用セラミックコンデンサ 0402 ( 1 nF と 50 V dc X8G高リップル電流容量、つや消しスズめっき終端、高い熱安定性、柔軟な終端処理。

電圧範囲 25 V dc の KEMET C0G 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、-55 → +125 ℃ の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます圧電ノイズなし ESR及びESLが極めて低い 熱安定性が高い 高いリプル電流性能

KEMET0402U2JシリーズMLCC。KEMETのU2Jシリーズ積層チップコンデンサ(MLCC)は「安定した」コンデンサと見なされ、125℃の最大動作温度に対応します。U2J誘電体では、電圧に起因する静電容量のシフトを無視できます。さらに、この製品はクラス1MLCCで使用できる静電容量範囲を拡張することで、これまではクラス11の誘電体材質のみで実現された静電容量を達成できます。動作電圧の範囲は55→+125℃で、定格DC電圧は10V、16V、25V、50Vです。特長。静電容量:1.0→470nF鉛(Pb)フリー、RoHS/REACH準拠(2022年10月現在)C0Gに類似した低ノイズソリューション低損失係数DF；0.1%低ESR、低ESL熱安定性が高い高いリプル電流性能。用途。共鳴回路の用途電荷Qと安定性

KEMET 0402 U2JシリーズMLCC。KEMETのU2Jシリーズ積層チップコンデンサ(MLCC)は「安定した」コンデンサと見なされ、125℃の最大動作温度に対応します。U2J誘電体では、電圧に起因する静電容量のシフトを無視できます。さらに、この製品はクラス1 MLCCで使用できる静電容量範囲を拡張することで、これまではクラス11の誘電体材質のみで実現された静電容量を

AECQ200車載用認定済み。Kemet 0402自動車グレードSMT MLCCセラミックコンデンサ。0402サイズAECQ200自動車用に認可済みSMT MLCCセラミックコンデンサは、過酷な環境に対応できるよう堅牢な設計になっています。 これらの自動車グレードSMT MLCCセラミックコンデンサはC0G誘電体を搭載しており、動作温度範囲は-55 → +125℃で、高い熱安定性、高いリプル

電圧範囲が 16 V dc の KEMET X7R 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、-55 → +125 ℃ の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます鉛フリー 温度安定誘電体 RoHS、REACH 準拠(2022年10月現在)

電圧範囲が6.3VdcのKEMETX7R誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、-55→+125℃の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます鉛フリー温度安定誘電体RoHS、REACH準拠(2022年10月現在)

電圧範囲が 25 V dc の KEMET X7R 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、-55 → +125 ℃ の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます鉛フリー 温度安定誘電体 RoHS、REACH 準拠(2022年10月現在)

電圧範囲が 50 V dc の KEMET X7R 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、-55 → +125 ℃ の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます鉛フリー 温度安定誘電体 RoHS、REACH 準拠(2022年10月現在)

AECQ200車載用認定済み。Kemet 0402自動車グレードSMT MLCCセラミックコンデンサ。0402サイズAECQ200自動車用に認可済みSMT MLCCセラミックコンデンサは、過酷な環境に対応できるよう堅牢な設計になっています。 これらの自動車グレードSMT MLCCセラミックコンデンサはC0G誘電体を搭載しており、動作温度範囲は-55 → +125℃で、高い熱安定性、高いリプル

Cシリーズ。表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード)。温度安定範囲: -55 → +125℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はあ

電圧範囲 50 V dc の KEMET C0G 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、 -55 → +125 ° C の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます圧電ノイズなし ESR及びESLが極めて低い 熱安定性が高い 高いリプル電流性能

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

Kemet 0402 X5R誘電体。Kemet 0402 X5R誘電体表面実装コンデンサの最大動作温度は、非常に高い温度まで対応します。 X5R誘電体は、EIA (Electronics Components， Assemblies ； Materials Association)からクラスII材質に定義されています。 このクラスの部品は固定セラミック誘電体コンデンサで、バイパス及びデカップリング用途、又はQ特性及び容量安定特

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

電圧範囲 50 V dc の KEMET C0G 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、 -55 → +125 ° C の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます圧電ノイズなし ESR及びESLが極めて低い 熱安定性が高い 高いリプル電流性能

KEMET 0402高温. Kemet 0402シリーズ高温表面実装積層セラミックコンデンサ(MLCC)は、堅牢なベースメタル誘電システムを搭載しています。静電容量及びケースサイズに比べて業界をリードする優れた性能を備え、極端な温度で安定した静電容量を発揮します。. 鉛(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 ESR及びESLが極めて低い 熱安定性が高い 高いリプル電流性能 幅広いDC定格電圧 極性なし 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げ

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など