「nf25」の検索結果

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMET C0805シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ 超安定、低損失、クラスIスズ(Sn)終端コンデンサシリーズ

KEMET 0603 X7R及びY5V誘電体. KEMET 0603 サイズ MLCC セラミックコンデンサ AEC Q200 (車載規格に適合)の MLCC SMT コンデンサは、過酷な環境に適した堅牢な設計を採用しています。これらの車載用グレード SMT MLCC セラミックコンデンサは、 C0G 誘電体を備えており、 -55 → +125 ° C の動作温度範囲で高い熱安定性を実現しています。. 特長と利点. 高いリップル電流性能、極めて低い ESR 及び ESL を特長としています。 動作温度範囲: -55℃ → +125℃ 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 温度安定誘電体 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF). 用途. これらの車載用グレード SMT MLCC コンデンサの代表的な用途には、車内又はエンジンルーム内のミッションクリティカルな車載回路、以下のような安全性が重要になります。 クリティカルタイミング チューニング パルスのある回路 低損失が求められる回路 高電流 バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制、ブロッキング、蓄電。. 承認. AEC Q200 (車載用認定)

Kemet 0603 C0G及びX5R誘電体. X5R誘電体シリーズは、85 ℃の最大操作温度に基づく「準安定」性を発揮します。 時間と電圧に対するX5Rの静電容量の変動は予測可能です。また、周囲温度に対する静電容量の変動は最小限に抑えられます。 静電容量の変動は-55 ℃ → +85 ℃の範囲で±15 %に制限 用途: 静電容量のQ特性及び安定性が重要出ない場合の周波数弁別回路用のバイパスとデカップリング. C0G誘電体は最大温度125 ℃で安定に動作 静電容量は電圧と時間の変化による影響を受けない これらの温度は温度補償が適用されるので、共振回路の用途に最適です。静電容量のQ特性と安定性が要求される場合、静電容量の変動は-55 ℃ → +125 ℃の範囲で±30 ppm/oCに制限されます。

ボディの黒帯は正の端子を示しています。. T491シリーズ. KEMET T491シリーズのタンタル表面実装コンデンサは、自動表面実装プロセス / 機器専用に設計されています。T491は、KEMETの実績のある固体タンタル技術と、最新の材質、プロセス、及び自動化とを組み合わせた結果、非常に高効率で信頼性の高いコンデンサとなっています。T491シリーズの終端は、100 %つや消しスズが施され、ウェッティング特性に優れ、表面実装はんだシステムに対応しています。. 対称の互換端末 レーザー彫刻されたケース ハロゲンフリーエポキシ 低プロファイルのケースサイズ RoHS準拠かつ鉛フリーの端子

KEMET 0603 X7R及びY5V誘電体KEMET 0603 サイズ MLCC セラミックコンデンサ AEC Q200 (車載規格に適合)の MLCC SMT コンデンサは、過酷な環境に適した堅牢な設計を採用しています。これらの車載用グレード SMT MLCC セラミックコンデンサは、C0G 誘電体を備えており、-55 → +125 ℃ の動作温度範囲で高い熱安定性を実現しています。特長と利点高

KEMET 0603 X7R及びY5V誘電体KEMET 0603 サイズ MLCC セラミックコンデンサ AEC Q200 (車載規格に適合)の MLCC SMT コンデンサは、過酷な環境に適した堅牢な設計を採用しています。これらの車載用グレード SMT MLCC セラミックコンデンサは、C0G 誘電体を備えており、-55 → +125 ℃ の動作温度範囲で高い熱安定性を実現しています。特長と利点高

KEMET 電子機器用セラミックコンデンサ 0603 は、10 nF と 25 V X8G高リップル電流容量、つや消しスズめっき終端、高い熱安定性、柔軟な終端処理。

電圧範囲が 25 V dc の KEMET X7R 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、-55 → +125 ℃ の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます鉛フリー 温度安定誘電体 RoHS、REACH 準拠(2022年10月現在)

電圧範囲が 25 V dc の KEMET X7R 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、-55 → +125 ℃ の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます鉛フリー 温度安定誘電体 RoHS、REACH 準拠(2022年10月現在)

電圧範囲が 25 V dc の KEMET X7R 誘電体表面実装積層セラミックチップコンデンサです。無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑えることができます。この製品は、-55 → +125 ℃ の温度範囲で、静電容量の変化は無視できます鉛フリー 温度安定誘電体 RoHS、REACH 準拠(2022年10月現在)

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMET C0805シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ 超安定、低損失、クラスIスズ(Sn)終端コンデンサシリーズ

KEMET 0603 X7R及びY5V誘電体. KEMET 0603 サイズ MLCC セラミックコンデンサ AEC Q200 (車載規格に適合)の MLCC SMT コンデンサは、過酷な環境に適した堅牢な設計を採用しています。これらの車載用グレード SMT MLCC セラミックコンデンサは、 C0G 誘電体を備えており、 -55 → +125 ° C の動作温度範囲で高い熱安定性を実現しています。高いリップル電流性能、極めて低い ESR 及び ESL を特長としています。 動作温度範囲: -55℃ → +125℃ 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 温度安定誘電体 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF). 用途. これらの車載用グレード SMT MLCC コンデンサの代表的な用途には、車内又はエンジンルーム内のミッションクリティカルな車載回路、以下のような安全性が重要になります。 クリティカルタイミング チューニング パルスのある回路 低損失が求められる回路 高電流 バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制、ブロッキング、蓄電。. 承認. AEC Q200 (車載用認定)

セラミックコンデンサ KEMET1206 シリーズ (3216サイズ). Kemet C1206シリーズX5R及びX7R誘電体表面実装コンデンサは、高い最大動作温度を備えています。 誘電体は、EIA (Electronics Components， Assemblies ； Materials Association)からクラスII材質に定義されています。 このクラスの部品は固定セラミック誘電体コンデンサで、バイパス及びデカップリング用途、又はQ特性及び容量安定特性が重要でない周波数弁別回路に適しています。. 無鉛、RoHS及びREACH規格に準拠 温度安定性のある誘電体 非極性 つや消しのスズめっき端子

KEMETのC0G誘電体は、最大動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies & Materials Association)から、C0G誘電体はクラスI材質に定義されています。この分類のコンポーネントは温度補償が適用されるので、共振回路の用途や静電容量のQ特性と安定性が要求される場合に適しています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃ 鉛(Pb)フリー、RoHS、REACH準拠 圧電ノイズなし ESR及びESLが極めて低い 熱安定性が高い 高いリプル電流性能

KEMET C0805シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ 超安定、低損失、クラスIスズ(Sn)終端コンデンサシリーズ

KEMETのC0G誘電体は、最大動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies & Materials Association)から、C0G誘電体はクラスI材質に定義されています。この分類のコンポーネントは温度補償が適用されるので、共振回路の用途や静電容量のQ特性と安定性が要求される場合に適しています。鉛(Pb)フリー、RoHS、REACH準拠 圧電ノイズなし ESR及びESLが極めて低い 熱安定性が高い 高いリプル電流性能

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

R76 シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応

R76 シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応

R76 シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応

KEMETR41Tシリーズは、自消性樹脂製のメタライズドポリプロピレンフィルムコンデンサで、UL94V-0等級に適合するボックスに収められています。このポリプロピレンコンデンサは、Y2/X1の安全分類が求められる「ライン-アース」用途や「ライン-ライン」用途におけるEMI(電磁干渉)抑制フィルタとして使用されています。動作温度は-40℃～+125℃で、厳しい車載認定AEC-Q200に適合しています。コンデンサの故障により感電の危険性が生じる可能性がある状況での使用に適しています。「主電源との直列」タイプの用途では使用しないでください。

R76 シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応

R76 シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応

R76 シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応

R76 シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応

R60シリーズは、金属化ポリエステルフィルム(巻線又はスタックテクノロジー)で構成され、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端のコンタクト金属層に電気的に溶接されます。コンデンサは、熱硬化性樹脂で密封されています。電圧範囲: 50 → 1000 V dc 静電容量範囲: 0.001 → 150.0 μF リード間隔: 1

R76 シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。