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RoHS
仕様メモリサイズ：512kbit 、 パッケージタイプ：TSSOP 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：8 、 構成：64 K x 8ビット 、 動作供給電圧 Min：2.5 V 、 動作供給電圧 Max：5.5 V 、 1ワード当たりのビット数：8bit 、 長さ：4.5mm 、 幅：3.1mm 、 高さ：1.05mm 、 寸法：4.5 x 3.1 x 1.05mm 、 動作温度 Min：-40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
￥29,980
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仕様メモリサイズ：512kB●インターフェースタイプ：シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●パッケージタイプ：PDIP●実装タイプ：スルーホール●ピン数：8●構成：64 K x 8ビット●動作供給電圧 Min：2.5 V●動作供給電圧 Max：5.5 V●1ワード当たりのビット数：8bit●長さ：10.16mm●幅：0.28インチ●高さ：4.95mm●寸法：0.4 x 0.28 x 0.195インチ●データ保持：200年
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,298
税込￥1,428
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RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様メモリサイズ：32kbit●インターフェースタイプ：シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C(TM)パッケージタイプ：SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数：5●構成：4 x 8ビット●動作供給電圧 Min：2.5 V●動作供給電圧 Max：5.5 V●1ワード当たりのビット数：8bit●長さ：3.1mm●幅：1.8mm●高さ：1.3mm●寸法：3.1 1.8 1.3mm●データ保持：200年●24AA32A/24LC32A I2C(TM)シリアルEEPROM. Microchipの24AA32A/24LC32Aファミリのデバイスは、32 KビットI2C(TM)シリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。. 特長. シングル電源(24AA32Aデバイスは最低1.7 V、24LC32Aデバイスは最低2.5 Vで動作) 低電力CMOS技術: 有効電流1 mA (標準)、スタンバイ電流1 μA (標準) 2線シリアルインターフェイス、I2C(TM)互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: ms (最大) セルフ時限の消去 書き込みサイクル 32バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護: >4，000 100万回を超える消去 書き込みサイクル データ保持: >200年間
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥1,698
税込￥1,868
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様メモリサイズ：16kB●インターフェースタイプ：I2C●パッケージタイプ：SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数：5●構成：256 x 8ビット●動作供給電圧 Min：2.5 V●動作供給電圧 Max：5.5 V●1ワード当たりのビット数：8bit●長さ：3.1mm●幅：1.8mm●高さ：1.3mm●寸法：3.1 x 1.8 x 1.3mm●データ保持：>200年
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様メモリサイズ：128kbit●インターフェースタイプ：シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●構成：16 K x 8ビット●動作供給電圧 Min：1.7 V●動作供給電圧 Max：5.5 V●1ワード当たりのビット数：8bit●長さ：4.9mm●幅：3.9mm●高さ：1.5mm●寸法：4.9 x 3.9 x 1.5mm●データ保持：200年
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥999
税込￥1,099
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仕様メモリサイズ：128kbit 、 パッケージタイプ：SOIC 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：8 、 構成：16 K x 8ビット 、 動作供給電圧 Min：1.7 V 、 動作供給電圧 Max：5.5 V 、 1ワード当たりのビット数：8bit 、 長さ：4.9mm 、 幅：3.9mm 、 高さ：1.5mm 、 寸法：4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Min：-40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
￥9,998
税込￥10,998
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仕様メモリサイズ：1024kB●インターフェースタイプ：シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●パッケージタイプ：PDIP●実装タイプ：スルーホール●ピン数：8●構成：128 x 8ビット●動作供給電圧 Min：1.8 V●動作供給電圧 Max：5.5 V●プログラミング電圧：1.8 → 5.5V●1ワード当たりのビット数：8bit●長さ：10.16mm●幅：0.28インチ●高さ：4.95mm●寸法：0.4 x 0.28 x 0.195インチ●データ保持：200年
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,198
税込￥1,318
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仕様メモリサイズ：1024kB 、 パッケージタイプ：PDIP 、 実装タイプ：スルーホール 、 ピン数：8 、 構成：128 x 8ビット 、 動作供給電圧 Min：1.8 V 、 動作供給電圧 Max：5.5 V 、 プログラミング電圧：1.8 → 5.5V 、 1ワード当たりのビット数：8bit 、 長さ：10.16mm 、 幅：0.28インチ 、 高さ：4.95mm 、 寸法：0.4 x 0.28 x 0.195インチ 、 動作温度 Min：-40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(60個)
￥33,980
税込￥37,378
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仕様メモリサイズ：8Mbit●インターフェースタイプ：パラレル●パッケージタイプ：TFBGA●ピン数：48●構成：512 K x 16ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：3 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：8mm●高さ：0.75mm●幅：6mm●寸法：8 x 6 x 0.75mm●ワード数：512K●SST39LF800AパラレルSuperFlashRメモリ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,198
税込￥2,418
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様メモリサイズ：8Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：PDIP●ピン数：8●構成：1 M x 8ビット●実装タイプ：スルーホール●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：2.7 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●長さ：10.16mm●高さ：4.95mm●幅：7.11mm●寸法：10.16 x 7.11 x 4.95mm●ワード数：1M●SST25VF080BシリアルSPI SuperFlashRメモリ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(60個)
￥14,980
税込￥16,478
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仕様メモリサイズ：64Mbit インターフェースタイプ：SPI パッケージタイプ：WDFN ピン数：8 構成：8 x 8ビット 実装タイプ：表面実装 セルタイプ：スプリットゲート 動作供給電圧 Min：2.7 、 動作供給電圧 Max：3.6 、 長さ：6mm 高さ：0.8mm 幅：8mm 寸法：6 8 0.8mm 動作温度 Max： +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,298
税込￥1,428
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仕様メモリサイズ：64Mbit 、 インターフェースタイプ：SPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：16 、 構成：8 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 ブロック構成：対称 、 長さ：10.3mm 、 高さ：2.05mm 、 幅：7.5mm 、 寸法：10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,198
税込￥1,318
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仕様メモリサイズ：4Mbit、インターフェースタイプ：パラレル、パッケージタイプ：PLCC、ピン数：32、構成：512 K x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：4.5 V、動作供給電圧 Max：5.5 V、長さ：11.43mm、高さ：2.79mm、幅：13.97mm、寸法：11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数：512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100，000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,298
税込￥2,528
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RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様メモリサイズ：4Mbit 、 インターフェースタイプ：パラレル 、 パッケージタイプ：PLCC 、 ピン数：32 、 構成：512 K x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 ブロック構成：対称 、 長さ：11.51mm 、 高さ：2.84mm 、 幅：14.05mm 、 寸法：11.51 x 14.05 x 2.84mm 、 動作温度 Min：0 ℃ 、 SST39VF010/020/040パラレルSuperFlashRメモリ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥12,980
税込￥14,278
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RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様メモリサイズ：2Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：SOIC●ピン数：8●構成：256 K x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：3 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：5mm●高さ：1.5mm●幅：4mm●寸法：5 x 4 x 1.5mm●ワード数：256K●SST25LF020AシリアルSPI SuperFlashRメモリ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,498
税込￥1,648
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RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様メモリサイズ：16Mbit、インターフェースタイプ：SPI、パッケージタイプ：SOIC、ピン数：8、構成：2 M x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：2.7 V、動作供給電圧 Max：3.6 V、長さ：4.9mm、高さ：1.25mm、幅：3.9mm、寸法：4.9 x 3.9 x 1.25mm、ワード数：2M、SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：4.9mm 、 高さ：1.5mm 、 幅：3.9mm 、 寸法：4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
￥24,980
税込￥27,478
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仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：WDFN 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：6mm 、 高さ：0.8mm 、 幅：5mm 、 寸法：6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,598
税込￥1,758
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：SPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：5.4mm 、 高さ：1.91mm 、 幅：5.4mm 、 寸法：5.4 x 5.4 x 1.91mm 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 SST25VF016BシリアルSPI SuperFlashRメモリ
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様最大周波数：40MIPS●データバス幅：16bit●RAMサイズ：16 kB●インストラクションセットアーキテクチャ：RISC●プログラムメモリサイズ：64 kB●プログラムメモリタイプ：フラッシュ●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：QFN-S●ピン数：28●標準動作供給電圧：3 → 3.6 V●UARTチャンネル数：2●USARTチャネルの数：0●dsPIC33Fデジタルシグナルコントローラ. dsPIC33Fデジタル信号コントローラは、MSUの簡易性を備えたDSPを提供します。 40MIPS dsPIC33Fコアは、デジタルフィルタアルゴリズム、高速の精密デジタル制御ループ、そしてスピーチ処理の実行を目的として設計されています。 モータ制御周辺機器を持つdsPIC33F DSCは、高性能の、精密モータ制御システムの設計を可能にします。 dsPIC33F SMPS DSCは、高性能のデジタル電源用に特別に設計されたオンチップ周辺機器を提供します。 SMPS周辺機器には、高速高解像度PWM、高速ADC、アナログコンパレータが含まれます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
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