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パラレルアクセスEEPROM、Microchip

MIC4426 / 4427 / 4428ファミリは、BiCMOS / DMOSプロセスで製造された信頼性の高いデュアルローサイドMOSFETドライバで、低消費電力と高効率を実現します。このドライバは、TTL又はCMOS入力ロジックレベルを正の供給電圧又は接地の25 mV以内でスイングする出力電圧レベルに変換します。同等品のバイポーラデバイスは、供給電圧の1 V以内でのみスイングすることができます。MIC4426 / 7 / 8には、デュアル反転、デュアル非反転、1つの反転 / 1つの非反転出力の3つの構成を用意しています。バイポーラ / CMOS / DMOS構造 逆電流に対するラッチアップ保護: >500 mA ピーク出力電流: 1.5 A 動作電圧範囲: 4.5 → 18 V 低静止供給電流 4 mA、ロジック1入力 バイポーラ / CMOS / DMOS構造 逆電流に対するラッチアップ保護: >500 mA ピーク出力電流: 1.5 A 動作電圧範囲: 4.5 → 18 V 低静止供給電流 4 mA、ロジック1入力 400 μA、ロジック0入力 25 nsで1000 pFを切り替え可能 調和のとれた立ち上り / 立ち下り時間 出力インピーダンス: 7 Ω 遅延時間: <40 ns (標準)

メモリサイズ = 1kB。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 128 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 128ns

メモリサイズ = 1kbit。インターフェースタイプ = I2C (2線)。パッケージタイプ = JEDEC SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 128 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5.05 x 3.99 x 1.5mm。ワード数 = 128ns。シリアルアクセスEEPROM

メモリサイズ = 16kbit。インターフェースタイプ = シリアル-3ワイヤー。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 1024 x 16ビット、2048 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 2.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 2.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8 bit， 16bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 1024， 2048ns。シリアルアクセスEEPROM

TC426 / 427 / 428 MOSFETドライバ. Microchip TC426、TC427、TC428デバイスは、デュアルローサイドMOSFETドライバです。. 特長. 高速スイッチング(CL = 1000 pF): 30 ns 高ピークの出力電流: 1.5 A 高出力電圧スイング: VDD -25 mV、GND +25 mV 低入力電流(ロジック「0」又は「1」): 1 μA TTL / CMOS入力に対応 構成: TC426 - 反転、TC427 - 非反転、TC428 - 反転 / 非反転 動作供給電圧: 4.5 → 18 V 電流消費量: 低入力0.4 mA、高入力8 mA シングル電源動作 低出力インピーダンス: 6 Ω ラッチアップ抵抗: >；500 mAの逆電流に耐える ESD保護: 2 kV

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

24AA256/24FC256 24LC256 I2C-シリアルEEPROM

Microchip Technology MOSFETMicrochip Technology MOSFET ドライバは、頑丈で、効率的で使いやすいドライバです。非反転ドライバです。MOSFET 9 (ピーク)の出力が可能で、改善された動作マージンで最大の MOSFET を駆動できます。 外付けの速度アップコンデンサや抵抗器ネットワークなしで、 2.4 から VS へのロジック入力に対応します。独自の回路により、部品を損傷することなく、入力を V まで負にスイングできます。特長と利点完全に分離されたプロセスは、すべてのラッチアップに対する本質的な耐性を備えています 大容量負荷駆動は 47，000pF です 高ピーク出力電流は A Peak です 入力は最大 V の負のスイングに耐える 鉛( Pb )フリー 2.4 から VS へのあらゆる電圧のロジック高入力 低等価入力容量 低出力インピーダンス ロジック 入力で 450 A の低供給電流 最小パルス幅は 50ns です ジャンクション動作温度範囲： -40 C 150 C 供給電圧範囲： 4.5 18 V用途クラス スイッチングアンプ MOSFET または IGBT パラレルチップモジュールを駆動 ラインドライバ ローカル電源オン オフスイッチ モータ制御 パルス発生器 パルストランスドライバ スイッチモード電源認定 ANSI/ESD S20.20 2014 BS EN 61340-5-1 2007

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

SRAM、Microchip

24AA16 24LC16B I2C-シリアルEEPROM

24AA02/24LC02B I2CシリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 V (24AA02デバイス)、2.5 V (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 1 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: 200年間

24AA02/24LC02B I2C-シリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 (24AA02デバイス)、2.5 (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: ms (標準) セルフ時限の消去 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護4，000 100万回を超える消去 書き込みサイクル データ保持:200年間