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マイクロチップ, 4Mbit フラッシュメモリ パラレル, 4.5→5.5V, 32-Pin PLCC MICROCHIPマイクロチップ, 4Mbit フラッシュメモリ パラレル, 4.5→5.5V, 32-Pin PLCCMICROCHIP
2,298税込2,528
1袋(5個)
当日出荷
仕様メモリサイズ:4Mbit、インターフェースタイプ:パラレル、パッケージタイプ:PLCC、ピン数:32、構成:512 K x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:4.5 V、動作供給電圧 Max:5.5 V、長さ:11.43mm、高さ:2.79mm、幅:13.97mm、寸法:11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数:512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100,000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
Microchip Technology Nチャンネル ドライバ用 MOSFET MICROCHIPMicrochip Technology Nチャンネル ドライバ用 MOSFETMICROCHIP
2,498税込2,748
1個
翌々日出荷から7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip Technology SPLDシンプルプログラマブルロジックデバイス MICROCHIPMicrochip Technology SPLDシンプルプログラマブルロジックデバイスMICROCHIP
1,898税込2,088
1袋(5個)
翌々日出荷から7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, パラレルEEPROM 64kbit パラレル MICROCHIPマイクロチップ, パラレルEEPROM 64kbit パラレルMICROCHIP
1,998税込2,198
1袋(2個)
5日以内出荷
Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年
仕様メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = パラレルパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 28構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 18.1 x 7.6 x 2.35mm動作温度 Max = +85 ℃nsRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, パラレルEEPROM 64kbit パラレル MICROCHIPマイクロチップ, パラレルEEPROM 64kbit パラレルMICROCHIP
1,898税込2,088
1袋(2個)
5日以内出荷
メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = パラレルパッケージタイプ = PLCC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 32構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 11.5 x 14.04 x 3.17mmワード数 = 8KnsMicrochip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年
RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip ATF1504AS CPLD, 64マクロセル, I/O 68本, 44-Pin TQFP MICROCHIPMicrochip ATF1504AS CPLD, 64マクロセル, I/O 68本, 44-Pin TQFPMICROCHIP
769税込846
1個
5日以内出荷
複合プログラム可能ロジックデバイス
仕様ファミリー名 = ATF1504ASマクロセル数 = 64ユーザI/O数 = 68ロジックブロック/エレメント数 = 3インシステムプログラミング = インシステム実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFP動作温度 Min = -40 ℃伝播遅延 = 10ns個別アウトプットイネーブルコントロール = あり寸法 = 10.1 x 10.1 x 1.05mm高さ = 1.05mm長さ = 10.1mm再ブログラミングサポート = ありmm複合プログラム可能ロジックデバイスRoHS指令(10物質対応)対応
Microchip SPLDシンプルプログラマブルロジックデバイス MICROCHIPMicrochip SPLDシンプルプログラマブルロジックデバイスMICROCHIP
1,498税込1,648
1袋(5個)
5日以内出荷
Microchip シンプルプログラマブルロジックデバイス. Atmelのこの高性能プログラマブルロジックデバイスは、低消費電力、高信頼性、業界標準アーキテクチャ(ISA:Industry Standard Architecture)を特長としています。
仕様ファミリー名 = ATF22LV10Cゲート数 = 350マクロセル数 = 10ユーザI/O数 = 10最大内部周波数 = 83.3MHz再ブログラミングサポート = あり実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = PLCCピン数 = 28最大伝播遅延時間 = 10ns製造テクノロジー = CMOS, TTL寸法 = 11.58 x 11.58 x 4.06mm高さ = 4.06mm長さ = 11.58mmRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, 1mb フラッシュ メモリ パラレル, 4.5→5.5V, 32-Pin TSOP MICROCHIPマイクロチップ, 1mb フラッシュ メモリ パラレル, 4.5→5.5V, 32-Pin TSOPMICROCHIP
1,198税込1,318
1袋(5個)ほか
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip マイコン AT89C51, 64-Pin VQFP AT89C51CC03UA-RDTUM MICROCHIPMicrochip マイコン AT89C51, 64-Pin VQFP AT89C51CC03UA-RDTUMMICROCHIP
1,698税込1,868
1個
7日以内出荷
ファミリー名 = AT89C51パッケージタイプ = VQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 64デバイスコア = 80C51データバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 64 kB最大周波数 = 40MHzRAMサイズ = 2.048 kBUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 1 x 8 bitSPIチャンネル数 = 1標準動作供給電圧 = 5.5 (最大) VADC数 = 8 x 10ビットmmMicrochip 8ビットマイクロコントローラ: CANコントローラと64 KBフラッシュX2モードでは、最大外部クロックレート20 MHzで300 nsサイクル時間に達します。このデバイスには、フルCANコントローラの他に、ISP機能を備えた64 KBフラッシュメモリ、2 KBブートフラッシュメモリ、2 KB EEPROM、2048バイトERAMが組み込まれています。電磁放射の抑制に根本的な注意が払われています。80C51コアアーキテクチャ オンチップRAM: 256バイト オンチップERAM: 2048バイト 64 Kバイトのオンチップフラッシュメモリ データ保持: 10年 @ 85 ℃ 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K ブートローダー用の2 Kバイトオンチップフラッシュ 2 KバイトのオンチップEEPROM 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K 内蔵電源モニタ(POR: PFD)、内部電源を監視 14ソース4レベル割り込み 16ビットタイマ / カウンター x 3 全二重UART互換80C51 高速アーキテクチャ
RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip Technology ATF750C CPLD ファミリ MICROCHIPMicrochip Technology ATF750C CPLD ファミリMICROCHIP
939税込1,033
1個
7日以内出荷
仕様ファミリー名:ATF750C 、 マクロセル数:10 、 ユーザI/O数:10 、 インシステムプログラミング:インシステム 、 実装タイプ:スルーホール 、 パッケージタイプ:PDIP 、 ピン数:24 、 伝播遅延:10ns 、 個別アウトプットイネーブルコントロール:あり 、 寸法:32.13 x 7.11 x 4.95mm 、 高さ:4.95mm 、 長さ:32.13mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 複合プログラム可能ロジックデバイスRoHS指令(10物質対応)対応
Microchip ATF15xx CPLD ファミリ MICROCHIPMicrochip ATF15xx CPLD ファミリMICROCHIP
769税込846
1個
欠品中
仕様ファミリー名:ATF1504AS 、 マクロセル数:64 、 ユーザI/O数:68 、 ロジックブロック/エレメント数:3 、 インシステムプログラミング:インシステム 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TQFP 、 ピン数:44 、 伝播遅延:10ns 、 個別アウトプットイネーブルコントロール:あり 、 寸法:10.1 x 10.1 x 1.05mm 、 高さ:1.05mm 、 長さ:10.1mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 複合プログラム可能ロジックデバイスRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ,  フラッシュメモリ 2MB パラレル, 32-Pin, SST39SF020A-70-4C-PHE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 2MB パラレル, 32-Pin, SST39SF020A-70-4C-PHEMICROCHIP
5,598税込6,158
1セット(11個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ,  フラッシュメモリ 4Mbit パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4C-NHE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 4Mbit パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4C-NHEMICROCHIP
849税込934
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
Microchip PWMコントローラ IC, 16-Pin SOIC MICROCHIPMicrochip PWMコントローラ IC, 16-Pin SOICMICROCHIP
1,998税込2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●最大スイッチング周波数: 3 MHz●出力電圧: 4.16 V●出力電流: 10 mA●出力数: 1●実装タイプ: 表面実装ns●パッケージタイプ: SOICns●ピン数: 16●最大デューティサイクル: 49.6%●長さ: 10mm●幅: 4mm●高さ: 1.65mm●動作温度 Min: -55 ℃●HV912xシリーズ高電圧電流モードPWMコントローラ. Microchip HV912xシリーズ高電圧電流モードPWMコントローラは、スイッチモード電源(SMPS)コントローラサブシステムです。この製品は、12 V電池や、整流器 / フィルタ付き240 V acラインなど、ほとんどのDC入力から直接起動して実行することができます。 これらのデバイスは高電圧入力から直接自己起動した後、制御対象のコンバータのいずれかの出力から電力を受け取って動作します。これにより、非常に効率の高い操作が可能になると同時に、関連する磁気アセンブリの絶縁システム電圧のみで制限される入力-出力間のガルバニック絶縁が維持されます。 ±2 %の内部バンドギャップリファレンス、内部オペアンプ、超高速コンパレータ、及び出力バッファにより、頑丈で、性能と効率の高い、50 W以上の電力供給が実現します。これにより、1.0 W以下の出力で80 %を超える効率が達成します。 リモートオン / オフ制御により、リモートシャットダウンのラッチ又はラッチ解除が可能になります。 シャットダウン中、必要な電源は6.0 mWです。. 特長. 入力電圧範囲: 10 → 450 V ;供給電流: 1.3 mA >クロック速度: 1.0 MHz >20:1ダイナミックレンジ @ 500 kHz 内部ノイズが低い. 代表的用途. オフライン高周波電源 ユニバーサル入力電源 高密度電源 非常に効率の高いスイッチング電源 負荷範囲は非常に広い電源RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip Atmel コンプレックスプログラマブルロジックデバイスCPLD, 64マクロセル, I/O 32本, 44-Pin TQFP MICROCHIPMicrochip Atmel コンプレックスプログラマブルロジックデバイスCPLD, 64マクロセル, I/O 32本, 44-Pin TQFPMICROCHIP
1,898税込2,088
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様ファミリー名 = Atmelマクロセル数 = 64ユーザI/O数 = 32メモリタイプ = EEPROMロジックブロック/エレメント数 = 10インシステムプログラミング = インシステム実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFP動作温度 Min = -40 ℃伝播遅延 = 7.5ns個別アウトプットイネーブルコントロール = あり寸法 = 10.1 x 10.1 x 1.05mm高さ = 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 10.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ,  フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4I-NHE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4I-NHEMICROCHIP
9,298税込10,228
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ,  フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4C-NHE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4C-NHEMICROCHIP
2,998税込3,298
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ,  フラッシュメモリ 4MB パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4I-NHE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 4MB パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4I-NHEMICROCHIP
2,198税込2,418
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, 4Mbit フラッシュメモリ パラレル, 32-Pin PLCC MICROCHIPマイクロチップ, 4Mbit フラッシュメモリ パラレル, 32-Pin PLCCMICROCHIP
13,980税込15,378
1セット(30個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip PWMコントローラ IC, 16-Pin PDIP MICROCHIPMicrochip PWMコントローラ IC, 16-Pin PDIPMICROCHIP
1,998税込2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●最大スイッチング周波数: 3 MHz●出力電圧: 4.16 V●出力電流: 10 mA●コントロール方法: 電流, 電圧●実装タイプ: スルーホールns●パッケージタイプ: PDIPns●ピン数: 16●最大デューティサイクル: 49.6%●長さ: 20.57mm●幅: 0.28インチ●高さ: 4.95mm●動作温度 Min: -55 ℃●HV912xシリーズ高電圧電流モードPWMコントローラ. Microchip HV912xシリーズ高電圧電流モードPWMコントローラは、スイッチモード電源(SMPS)コントローラサブシステムです。この製品は、12 V電池や、整流器 / フィルタ付き240 V acラインなど、ほとんどのDC入力から直接起動して実行することができます。 これらのデバイスは高電圧入力から直接自己起動した後、制御対象のコンバータのいずれかの出力から電力を受け取って動作します。これにより、非常に効率の高い操作が可能になると同時に、関連する磁気アセンブリの絶縁システム電圧のみで制限される入力-出力間のガルバニック絶縁が維持されます。 ±2 %の内部バンドギャップリファレンス、内部オペアンプ、超高速コンパレータ、及び出力バッファにより、頑丈で、性能と効率の高い、50 W以上の電力供給が実現します。これにより、1.0 W以下の出力で80 %を超える効率が達成します。 リモートオン / オフ制御により、リモートシャットダウンのラッチ又はラッチ解除が可能になります。 シャットダウン中、必要な電源は6.0 mWです。. 特長. 入力電圧範囲: 10 → 450 V ;供給電流: 1.3 mA >クロック速度: 1.0 MHz >20:1ダイナミックレンジ @ 500 kHz 内部ノイズが低い. 代表的用途. オフライン高周波電源 ユニバーサル入力電源 高密度電源 非常に効率の高いスイッチング電源 負荷範囲は非常に広い電源RoHS指令(10物質対応)対応
OTP EPROMメモリ Microchip MICROCHIPOTP EPROMメモリ MicrochipMICROCHIP
1,698税込1,868
1袋(2個)
8日以内出荷
Microchip AT27C020 2 Mb の低消費電力、高性能ワンタイムプログラマブル EPROM は、 256 K ビット x 8 として構成されています。4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。通常の読み取りモードでの標準消費電力はわずか 8 mA で、スタンバイモードの供給電流は標準で 10 μ A 未満です。どのバイトにも 55 ns 未満でアクセスできるため、高性能マイクロプロセッサシステムでの速度低減 WAIT ステートが不要になります。低電力 CMOS 動作 アクセス時間は 90 ns です ESD 保護: 2 、 000 V ラッチアップ耐性: 200 mA Rapid Programming アルゴリズム: 100 μ s/ バイト(標準) CMOS及びTTL互換入出力 製品識別コードを内蔵 使用温度範囲: -40 → 85 ° C 32 リード、プラスチック J リード付きチップキャリア( PLCC )パッケージ
仕様メモリサイズ = 2000kbit構成 = 256K x 8最大ランダムアクセス時間 = 55nsプログラミング電圧 = 5V再ブログラミング技術 = OTP実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 32寸法 = 42.29 x 13.97 x 4.44mmワード数 = 256KbitRoHS指令(10物質対応)対応
ns-10 nr特集
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