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MIC4126、MIC4127、及びMIC4128ファミリは、BiCMOS / DMOSプロセスで製造された、信頼性の高いデュアル1.5 AローサイドMOSFETドライバです。低消費電力と高効率が特長です。MIC4126/27/28は、TTL又はCMOS入力ロジックレベルを、正の電源又は接地から25 mV以内でスイングする出力電圧レベルに変換します。同等のバイポーラデバイスのスイングは、電源の1 V以内にしかなりません。露出した裏面パッドパッケージにより熱を低減 バイポーラ / CMOS / DMOS構造 電源又は接地からの最大出力オフセット: 25 mV ラッチアップ保護: >500 mAの逆電流 25 nsで1000 pFを切り替え 供給電圧に依存しないロジック入力しきい値 ロジック入力保護: -5 V 等価入力容量: 6 pF (標準) デュアル反転、デュアル非反転、及びコンプリメンタリ構成 ジャンクション動作温度範囲: -40 → +125 ℃

Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年

メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = パラレルパッケージタイプ = PLCC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 32構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 11.5 x 14.04 x 3.17mmワード数 = 8KnsMicrochip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年

SRAM、Microchip

Microchip シンプルプログラマブルロジックデバイス. Atmelのこの高性能プログラマブルロジックデバイスは、低消費電力、高信頼性、業界標準アーキテクチャ(ISA：Industry Standard Architecture)を特長としています。

Microchip AT27C020 2 Mb の低消費電力、高性能ワンタイムプログラマブル EPROM は、 256 K ビット x 8 として構成されています。4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。通常の読み取りモードでの標準消費電力はわずか 8 mA で、スタンバイモードの供給電流は標準で 10 μ A 未満です。どのバイトにも 55 ns 未満でアクセスできるため、高性能マイクロプロセッサシステムでの速度低減 WAIT ステートが不要になります。低電力 CMOS 動作 アクセス時間は 90 ns です ESD 保護： 2 、 000 V ラッチアップ耐性： 200 mA Rapid Programming アルゴリズム： 100 μ s/ バイト(標準) CMOS及びTTL互換入出力 製品識別コードを内蔵 使用温度範囲： -40 → 85 ° C 32 リード、プラスチック J リード付きチップキャリア( PLCC )パッケージ