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マイクロチップ,  フラッシュメモリ 1Mbit パラレル, 32-Pin, SST39VF010-70-4I-NHE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 1Mbit パラレル, 32-Pin, SST39VF010-70-4I-NHEMICROCHIP
8,398税込9,238
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : パラレル●パッケージタイプ : PLCC●ピン数 : 32●構成 : 128 K x 8ビット●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 14.05mm●高さ : 2.84mm●幅 : 11.51mm●寸法 : 11.51 x 14.05 x 2.84mm●シリーズ : SST39bit●SST39VF010/020/040パラレルSuperFlashRメモリRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ,  フラッシュメモリ 1Mbit パラレル, 32-Pin, SST39VF010-70-4I-WHE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 1Mbit パラレル, 32-Pin, SST39VF010-70-4I-WHEMICROCHIP
1,998税込2,198
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : パラレル●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 32●構成 : 128 K x 8●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 8.1mm●高さ : 1.05mm●幅 : 12.5mm●寸法 : 12.5 x 8.1 x 1.05mm●動作温度 Max : +85 ℃nsRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ,  フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4C-NHE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4C-NHEMICROCHIP
2,998税込3,298
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ,  フラッシュメモリ 1Mbit SPI, 8-Pin, SST25VF010A-33-4I-SAE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 1Mbit SPI, 8-Pin, SST25VF010A-33-4I-SAEMICROCHIP
9,998税込10,998
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : SPI●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 8●構成 : 128 K x 8ビット●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 5mm●高さ : 1.5mm●幅 : 4mm●寸法 : 4 x 5 x 1.5mm●シリーズ : SST25bit●SST25VF010AシリアルSPI SuperFlashRメモリRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ,  フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4I-NHE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4I-NHEMICROCHIP
9,298税込10,228
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, 8Mbit フラッシュ メモリ SPI, 8-Pin PDIP MICROCHIPマイクロチップ, 8Mbit フラッシュ メモリ SPI, 8-Pin PDIPMICROCHIP
14,980税込16,478
1セット(60個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:8Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:PDIP●ピン数:8●構成:1 M x 8ビット●実装タイプ:スルーホール●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●長さ:10.16mm●高さ:4.95mm●幅:7.11mm●寸法:10.16 x 7.11 x 4.95mm●ワード数:1M●SST25VF080BシリアルSPI SuperFlashRメモリRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ,  フラッシュメモリ 4MB パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4I-NHE MICROCHIPマイクロチップ, フラッシュメモリ 4MB パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4I-NHEMICROCHIP
2,198税込2,418
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
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