カテゴリ

制御機器(6)

絞り込み

ON SEMICONDUCTOR
TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(11)
RS PRO(11)
Panasonic(パナソニック)(9)
KOA(9)
VISHAY(9)
INFINEON(7)
omron(オムロン)(4)
onsemi(4)
STMicro(3)
ROHM(2)
ARCOL(OHMITE)(2)
YAMAHA(ヤマハ)(2)
DiodesZetex(2)
goot(太洋電機産業)(1)
azbil(旧:山武)(1)
ケニス(1)
共立電子産業(1)
BOURNS(1)
ブランドをもっと見る

RoHS10物質対応(6)

価格で絞り込む

当日・翌日以内・翌々日以内・3日以内・4日以内

「150ω 3w」の検索結果

関連キーワード

オンセミ，ツェナーダイオード， 3.9V， 3 W， 2-Pin SMB
ON SEMICONDUCTOR
￥269税込￥296
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 3 Wパッケージタイプ = SMBツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 96.1mA最大ツェナーインピーダンス = 7.5Ω最大逆漏れ電流 = 25μA長さ = 4.32mm寸法 = 4.32 x 3.56 x 2.13mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード
ON SEMICONDUCTOR
￥1,698税込￥1,868
1セット(50個)
翌々日出荷から7日以内出荷
バリエーション一覧へ(378)
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 500 V， 5 A， 3 ピンパッケージTO-220F UniFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR
￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 28 W動作温度 Max = +150 ℃UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 167 A， 3 ピンパッケージTO-247
ON SEMICONDUCTOR
￥1,598税込￥1,758
1個
欠品中
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 167 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.9 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 429 W1チップ当たりのエレメント数 = 1PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 15 A， 3 ピンパッケージTO-220F
ON SEMICONDUCTOR
￥2,198税込￥2,418
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 22 W標準ターンオン遅延時間 = 14 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 79 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263)
ON SEMICONDUCTOR
￥769税込￥846
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 79 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310 W1チップ当たりのエレメント数 = 1自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。RoHS指令(10物質対応)対応