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制御機器/はんだ・静電気対策用品 (566) ブランド: ON SEMICONDUCTORすべて解除
整流ダイオード1N4007G 1KV/1A ON SEMICONDUCTOR (1件のレビュー) 当日出荷
仕様 ●VRM[V]:1000V●Io[A]:1.0A●trr[sec]:-●パッケージ:DO-204AL、DO-41、アキシャル●内部回路:-●VRM[V]:1000V アズワン品番 68-2036-39
オンセミ, 整流ダイオード, 3A, 200V, 2-Pin DO-201AD ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mm動作温度 Max = +150 ℃メーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
オンセミ, 整流ダイオード, 3A, 600V, 2-Pin DO-201AD ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200Aメーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
オンセミ, 整流ダイオード, 1A, 400V, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V高さ = 5.2mm直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応) 対応
整流用ブリッジダイオード GBPCシリーズ ON SEMICONDUCTOR (2件のレビュー) 当日出荷 から 7日以内出荷
ダイオード シリコンジャンクション 実装タイプ スクリューマウント 長さ(mm) 29 寸法(mm) 29×29×11.23 ピン数(ピン) 4 動作温度(℃) -55~150 RoHS指令(10物質対応) 対応 回路構成 シングル ピーク逆電流(μA) 500 ピーク順方向電圧(V) 1.1 ブリッジタイプ 単相
オンセミ, ツェナーダイオード, 24V, 1 W, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 10.5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 25 V, 1.5 A, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
オンセミ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 1A, 1000V, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.21mm幅 = 2.72mm高さ = 2.72mmピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 700mA, 5 V 固定出力, 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 700mAパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 100 mVMC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意 RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 10V, 1 W, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
オンセミ, 整流ダイオード, 300mA, 100V, 2-Pin DO-35 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 150V, 5 W, 2-Pin DO-15 ON SEMICONDUCTOR 翌々日出荷
仕様 ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 330Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。 RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 5.33mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
フォトカプラ ON Semiconductor 6N137M, ロジックゲート出力, 8-Pin ON SEMICONDUCTOR 7日以内出荷
仕様 実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 10nsオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 36V, 5 W, 2-Pin Surmetic 40 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 30mA最大ツェナーインピーダンス = 160Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。 RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor 反射センサ, 4-Pin SMD 表面実装 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 出力デバイス = フォトトランジスタ標準上昇時間 = 20μs標準降下時間 = 20μsチャンネル数 = 1ピン数 = 4実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMD寸法 = 3.6 x 2.9 x 1.7mm高さ = 1.7mm長さ = 3.6mm最高動作温度 = +85℃最低動作温度 = -40℃幅 = 2.9mm動作温度レンジ = -40 → +85℃反射型フォトインタラプタ. フォトトランジスタ出力付き反射型 エミッタとディテクタの向きが同じ 小型 誤検出を最小限度に抑える可視光ブロック 光学IC (GP2A231LRSAF)、TTL直接接続に対応 RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ, 1A, -15 V 固定出力, 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTOR 翌々日出荷
仕様 出力電圧 = -15 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負精度 = ±4%負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ, 1A, -12 V 固定出力, 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTOR 翌々日出荷
仕様 出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応) 対応
フォトダイオード ON Semiconductor 20 ° Si スルーホール実装 5mm package ON SEMICONDUCTOR 7日以内出荷
仕様 ピーク感度波長 = 880nmパッケージタイプ = T-1 3/4実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 700nm最大検出波長 = 1100nm高さ = 8.77mm直径 = 6.1mmQSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波長: 880 nm 検出面積: 1.245 x 1.245 mm RoHS指令(10物質対応) 対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 5.1V, 1 W, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 標準ツェナー電圧 = 5.1V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 49mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 10V, 1 W, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR 7日以内出荷
仕様 ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR 当日出荷
仕様 トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応