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オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 1000V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)
￥319税込￥351
1袋(5個)
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仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.21mm幅 = 2.72mm高さ = 2.72mmピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，整流ダイオード
ON SEMICONDUCTOR
￥2,398～税込￥2,638～
1セット(100個)ほか
当日出荷から8日以内出荷
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フォトカプラ ON Semiconductor 6N137M，ロジックゲート出力， 8-Pin
ON SEMICONDUCTOR
￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
当日出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 10nsオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)
￥2,798税込￥3,078
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード
ON SEMICONDUCTOR
￥1,198～税込￥1,318～
1セット(25個)ほか
当日出荷から8日以内出荷
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オンセミ，整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR
￥2,998税込￥3,298
1袋(50個)
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 200V， 2-Pin DO-214AC (SMA)
ON SEMICONDUCTOR
￥419税込￥461
1袋(10個)
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仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 920mV長さ = 4.75mm幅 = 2.95mm高さ = 2.2mmピーク逆回復時間 = 15nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 200V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR
￥1,898税込￥2,088
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 600V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR
￥1,698税込￥1,868
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR
￥1,998税込￥2,198
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor TinyLogic ULP-Aシリーズロジックゲート
ON SEMICONDUCTOR
￥39,980税込￥43,978
1リール(3000個)
8日以内出荷
バリエーション一覧へ(10)
フォトカプラ ON Semiconductor H11N1M，シュミットトリガー出力， 6-Pin
ON SEMICONDUCTOR
￥649税込￥714
1袋(2個)
8日以内出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = シュミットトリガー最大順方向電圧 = 2Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 7.5ns最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 7500 V論理出力 = Y標準降下時間 = 12nsオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor電流モード PWMコントローラ
ON SEMICONDUCTOR
￥1,298税込￥1,428
1袋(20個)
8日以内出荷
バリエーション一覧へ(57)
オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 800V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR
￥1,398税込￥1,538
1袋(50個)
8日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 19 A， 3 ピンパッケージTO-220F QFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR
￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W標準ターンオフ遅延時間 = 135 nsQFET(R) NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 15A， 600V， 2-Pin TO-220AC
ON SEMICONDUCTOR
￥799税込￥879
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.5V長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mmピーク逆回復時間 = 60ns動作温度 Max = +175 ℃メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応