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RoHS10物質対応(2)
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ON Semiconductor デュアル Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 7 A， 8 ピン パッケージSOIC
ON SEMICONDUCTOR￥1,398税込￥1,5381袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPowerTrench(R)デュアルPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor デュアル Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 6.5 A， 8 ピン パッケージSOIC
ON SEMICONDUCTOR￥799税込￥8791袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 15 nsPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。RoHS指令(10物質対応)対応
