「sot-20」の検索結果

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ON Semiconductor 4チャンネル単方向 TVSダイオードアレイ， 500W， 20V， 6-Pin SOT-363 (SC-88)
ON SEMICONDUCTOR
￥939税込￥1,033
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7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コンプレックスアレイ最大クランピング電圧 = 20V最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 6ピークパルスパワー消費 = 500W最大ピークパルス電流 = 8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃テスト電流 = 1mA低静電容量ESD保護アレイRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.3 A， 3 ピンパッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥489税込￥538
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7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 900 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥359税込￥395
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 220 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ素材 = SiPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.7 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
ON SEMICONDUCTOR
￥619税込￥681
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7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 5 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.6 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
ON SEMICONDUCTOR
￥659税込￥725
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7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 10 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 380 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥1,098税込￥1,208
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翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 380 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルパワーMOSFET、60 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 170 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥339税込￥373
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥229税込￥252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 300 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 280 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥219税込￥241
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
ON SEMICONDUCTOR
￥429税込￥472
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW長さ = 2.92mmPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード
ON SEMICONDUCTOR
￥619～税込￥681～
1セット(100個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
バリエーション一覧へ(378)
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥499税込￥549
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥289税込￥318
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mm強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 30 V， 560 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥849税込￥934
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 560 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 690 mW幅 = 1.4mmNチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 8 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
ON SEMICONDUCTOR
￥1,998税込￥2,198
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.5 W高さ = 0.94mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，スイッチングダイオード， 200mA， 200V， 3-Pin SOT-23，エレメント数 1，シングル
ON SEMICONDUCTOR
￥469税込￥516
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
PNP Transistor BCP69T1G
ON SEMICONDUCTOR
￥23,980税込￥26,378
1リール(1000個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ：PNP 、最大DCコレクタ電流：1 A 、最大コレクタ- エミッタ間電圧：20 V 、パッケージタイプ：SOT-223 、実装タイプ：表面実装、最大パワー消費：1.5 W 、最小DC電流ゲイン：50 、トランジスタ構成：シングル、最大コレクタ-ベース間電圧：25 V 、最大エミッタ-ベース間電圧：5 V 、最大動作周波数：60 MHz 、ピン数：3 + Tab 、 1チップ当たりのエレメント数：1 、動作温度 Min：-65 ℃ 、先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 200 mA， 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥539税込￥593
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 120 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥949税込￥1,044
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 120 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW高さ = 0.93mm強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 1.7 A， 3+Tab ピンパッケージSOT-223 QFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR
￥769税込￥846
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mWトランジスタ素材 = SiQFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥679税込￥747
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応