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ROHM Pチャンネル パワーMOSFET, 20 V, 250 mA, 3 ピン パッケージTSMT ROHMROHM Pチャンネル パワーMOSFET, 20 V, 250 mA, 3 ピン パッケージTSMTROHM
599税込659
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 250 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 Vパッケージタイプ = TSMT実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 200 mW長さ = 2.9mmPチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM NPN トランジスタ, 60 V, 2 A, 3-Pin TSMT ROHMROHM NPN トランジスタ, 60 V, 2 A, 3-Pin TSMTROHM
1,898税込2,088
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TSMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.85 x 2.9 x 1.6mmNPNパワートランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM N, Pチャンネル MOSFET30 V 7 A 表面実装 パッケージTSMT-8 8 ピン ROHMROHM N, Pチャンネル MOSFET30 V 7 A 表面実装 パッケージTSMT-8 8 ピンROHM
649税込714
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N, P●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 30 V●パッケージタイプ : TSMT-8●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●チャンネルモード : エンハンスメント型●1チップ当たりのエレメント数 : 1RoHS指令(10物質対応)対応
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