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16ページ目: STMicroのすべての商品

STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-247
STMicro
￥6,998税込￥7,698
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： TO-247●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 500●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 3 V●最大コレクタカットオフ電流： 1mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro
￥19,980税込￥21,978
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 380 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 35 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 2.1 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥9,398税込￥10,338
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 900 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 6.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 2.5 A スルーホールパッケージIPAK (TO-251) 3 ピン
STMicro
￥2,098税込￥2,308
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 4.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 39 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
STMicro
￥23,980税込￥26,378
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 70 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 255 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 124 nC @ 10 Vmm●高さ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 100V， SMBJ48A-TR
STMicro
￥43,980税込￥48,378
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 100V●最小ブレークダウン電圧 53.3V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 48V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 40A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●幅 3.95mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 50 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥7,398税込￥8,138
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 28 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 150 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●トランジスタ素材： Simm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 40 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥9,698税込￥10,668
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 33 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 150 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 7.2 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥14,980税込￥16,478
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 850 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 110 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 39.3V， SMBJ18A-TR
STMicro
￥38,980税込￥42,878
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 39.3V●最小ブレークダウン電圧 20V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 18V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 102A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 350 V， 4 A， 3-Pin TO-220
STMicro
￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 350 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 500●最大ベース-エミッタ間飽和電圧： 1.8 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 2 V●最大コレクタカットオフ電流： 500μA●最大パワー消費： 100 Wmm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics LEDドライバ IC， 100mA 24-Pin SOIC
STMicro
￥2,098税込￥2,308
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●出力電流： 100mA●入力電圧： 3 → 5.5 V●AC/DC入力電圧： ac●用途： LED照明●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 24●出力電圧 Max ： 20V●定格電流： 5 → 100mA●LEDアレイドライバ、STMicroelectronics. このLEDアレイドライバは、定電流制御と、高輝度LEDの駆動に必要なすべての機能を搭載しています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 6 A， 3-Pin TO-220FP シングル
STMicro
￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●最大パワー消費： 20 W●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●スイッチングスピード： 1MHz●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics EMIフィルタ& ESDプロテクタ，表面実装， EMIF06-MSD02N16
STMicro
￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ：表面実装●動作温度 Min ： -30 ℃●動作温度 Max ： +85 ℃mm●静電容量： 20pF●EMIフィルタとESD保護機能を内蔵、IPAD(TM)デバイス用のEMIFシリーズ、STMicroelectronics. 高いカットオフ周波数ローパスフィルタ400 MHz 効率の高いEMIフィルタマイク、携帯電話、カメラ、LCDディスプレイ、メモリカード用のHDMI、USB、又はシリアルインターフェイスにおけるマルチメディア用途RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET400 V 9 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥8,498税込￥9,348
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 400 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 550 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 110 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 21.7V， SM6T12A
STMicro
￥68,980税込￥75,878
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成：シングル●最大クランピング電圧： 21.7V●最小ブレークダウン電圧： 11.4V●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧： 10.2V●ピン数： 2●ピークパルスパワー消費： 600W●最大ピークパルス電流： 184A●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法： 4.6×3.95×2.45mm●長さ： 4.6mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics MOSFET 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン
STMicro
￥46,980税込￥51,678
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ： SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大パワー消費： 1.6 W●トランジスタ構成：シングル●幅： 3.7mm●高さ： 1.8mm●The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.Very low collector to emitter saturation voltage 3A continuous collector current DC current gain， hFE >100 SOT-223 plastic package for surface mounting circuits in tape and reel packing 40 V breakdown voltage V(BR)CER Applications Power management in portable equipment Voltage regulation in bias supply circuits Switching regulator in battery charger applications Heavy load driverRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP ダーリントントランジスタ， 100 V， 12 A， 3-Pin TO-220FP
STMicro
￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大連続コレクタ電流： 12 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧： 4 V●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 3 V●最大コレクタカットオフ電流： 5mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 10.5 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 312 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●幅： 4.6mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 10 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥3,198税込￥3,518
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 10 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 550 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 39.3V， SM15T22AY
STMicro
￥1,498税込￥1,648
1セット(10個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 39.3V●最小ブレークダウン電圧 20.9V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AB (SMC)●最大逆スタンドオフ電圧 18.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 254A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -40℃●動作温度 Max +150 ℃mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 2.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 4.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥14,980税込￥16,478
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.8 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 125 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 13.4V， SM6T6V8A
STMicro
￥1,598税込￥1,758
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.45V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 5.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●最大逆漏れ電流 20μA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 15 A， 3-Pin TO-220 シングル
STMicro
￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流： 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥44,980税込￥49,478
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 105 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 210 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 6.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥1,698税込￥1,868
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1000 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.85 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 160 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 30 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥7,598税込￥8,358
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 30 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 40 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -18 V， +18 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
STMicro
￥1,598税込￥1,758
1個
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 105 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 210 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 84 nC @ 10 Vmm●高さ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 265V， 1.5KE150A
STMicro
￥24,980税込￥27,478
1セット(600個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 265V●最小ブレークダウン電圧 143V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 128V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 38A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 76V， BZW50-33
STMicro
￥29,980税込￥32,978
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 76V●最小ブレークダウン電圧 36.6V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ R 6●最大逆スタンドオフ電圧 33V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 5000W●最大ピークパルス電流 789A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.1×9.1×9.1mm●テスト電流 1mA●Transil(TM) TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 120 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥18,980税込￥20,878
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 75 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 8 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 310 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 353V， SMBJ170A-TR
STMicro
￥669税込￥736
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 353V●最小ブレークダウン電圧 189V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 170V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 11.3A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●幅 3.95mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 13.4V， BZW06-5V8
STMicro
￥22,980税込￥25,278
1袋(1000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.45V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 5.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●長さ 6.75mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 13.4V， 1.5KE6V8A
STMicro
￥43,980税込￥48,378
1袋(600個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.45V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 5.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 746A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics RFトランシーバ， 20-Pin QFN
STMicro
￥1,998,000税込￥2,197,800
1セット(4500個)
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ： QFN●ピン数： 20●実装タイプ：表面実装mm●長さ： 4.15mm●幅： 4.15mm●高さ： 0.95mm●最大動作バンド1周波数： 174MHz●最大動作バンド2周波数： 348MHz●最大動作バンド3周波数： 470MHz●動作供給電圧 Max ： 3.6 V●動作温度 Max ： +105 ℃●最小動作バンド1周波数： 150MHz●動作バンド数： 4MHz●SPIRIT1は、消費電力が非常に少ないRFトランシーバで、1 GHz未満帯域のRFワイヤレス用途に適しています。169315433868915 MHzのライセンスフリーISM及びSRDの周波数帯で動作するよう設計されていますが、プログラムにより、300～348 MHz、387～470 MHz、779～956 MHz帯域でも動作します。空気データレートは 1 ～ 500 kbps の範囲でプログラム可能です。 SPIRIT1 は、 EN 300 220 規格に準拠した 12.5/25 kHz のチャネル間隔を持つシステムで使用できます。ディスクリート外付け部品を非常に少数使用し、データ管理、変調、復調をサポートする設定可能なベースバンドモデムを内蔵しています。データ管理は、独自の完全にプログラム可能なパケット形式のデータを処理します。また、 M-Bus 標準準拠形式(すべてのパフォーマンスクラス)も使用できます。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 1 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
STMicro
￥169,800税込￥186,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 1 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 8.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 3.7V●最低ゲートしきい値電圧： 2.25V●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 84V， 1.5KE47A
STMicro
￥999税込￥1,099
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 84V●最小ブレークダウン電圧 44.7V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 40.2V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 119A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 420 V 30 A， 3-Pin D2PAK (TO-263) シングル
STMicro
￥259,800税込￥285,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流： 30 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 420 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： 16V●最大パワー消費： 150 W●パッケージタイプ： D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●スイッチングスピード： 1MHz●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×9.35×4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 80 V， 5 A， 3-Pin TO-220
STMicro
￥3,500税込￥3,850
1セット(50個)
欠品中
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 1000●最大コレクタ-ベース間電圧： 80 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 4 V●最大コレクタカットオフ電流： 0.2mA●動作温度 Min ： -65 ℃mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

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