仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 250 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 22 nsNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応