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STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 800 V, 250 mA, 3+Tab ピン パッケージSOT-223 STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 800 V, 250 mA, 3+Tab ピン パッケージSOT-223STMicro
1,398税込1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 250 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 22 nsNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 1A, 1200V, 2-Pin DO-41 STMicroSTマイクロ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 1A, 1200V, 2-Pin DO-41STMicro
899税込989
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20A整流ダイオード、1 A → 3 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
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